半导体结构及半导体结构的制备方法技术

本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，具有阵列区以及位于阵列区至少一侧的外围区；衬底包括位于阵列区的位线结构和存储节点接触孔、以及位于外围区的介质层和在介质层上的多个第一接触结构；着陆焊盘，包括位于存储节点接触孔中的第一部分以及位于位线结构和第一部分上的第二部分；第一接触结构的截面具有远离介质层的第一顶边和与介质层接触的第一底边，第一底边的长度大于第一顶边的长度，着陆焊盘的第二部分的截面具有远离位线结构的第二顶边和与位线结构和第一部分接触的第二底边，第二底边的长度大于或等于第二顶边的长度。根据本公开实施例，能够提高半导体结构的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)属于易失性存储器，其由多个存储单元构成，每个存储单元主要包括一个晶体管和一个电容结构，且各存储单元通过字线(word line，wl)和位线(bit line，bl)彼此电性连接。

2、随着dram尺寸的微缩，dram中各组成元件的尺寸及相邻元件之间的间距也不断微缩，相邻元件之间的电性能会因为间距的微缩发生质变，即在微缩尺寸下，要考虑到相邻元件之间的电性能的骤变。

3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，可以提高位于外围区的第一接触结构的电介质经时击穿阈值，同时避免了阵列区的着陆焊盘的颈缩，提高了半导体结构的电性能。

2、本公开的其他特性和优点将本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一顶边与所述第一底边的长度比例为0.4-0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一接触结构具有圆角结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一接触结构的截面具有底角，所述底角为45°-80°。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述着陆焊盘的第一部分和所述着陆焊盘的第二部分在衬底上的正投影部分重叠，且所述第二部分的截面的顶角为斜角或直角。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一顶边与所述第一底边的长度比例为0.4-0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一接触结构具有圆角结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述第一接触结构的截面具有底角，所述底角为45°-80°。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述着陆焊盘的第一部分和所述着陆焊盘的第二部分在衬底上的正投影部分重叠，且所述第二部分的截面的顶角为斜角或直角。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于所述第一部分的上部部分填充所述存储节点接触孔，所述第一部分的上部在衬底上的正投影面积大于所述存储节点接触孔在衬底上的正投影面积的1/2。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于所述半导体结构还包括绝缘层，所述绝缘层隔离所述多个第一接触结构，所述绝缘层中还包括第一空隙。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括贯穿所述介质层的第一接触孔，第二接触结构设置于所述第一接触孔内，所述第二接触结构与部分所述第一接触结构耦接，所述第二接触结构内还存在第二空隙。

9.一种半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永祥，吴强，符文刚，匡定东，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：