基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体晶圆技术领域，揭露一种基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法及系统，方法包括：计算半导体晶圆的晶圆磨损度与晶圆清洁度，识别晶圆磨损度与待控制参数之间的磨损度‑参数关系，识别晶圆清洁度与待控制参数之间的清洁度‑参数关系；对待控制参数进行参数标准化，得到标准化参数，设置标准化参数的约束条件，并利用磨损度‑参数关系与清洁度‑参数关系构建标准化参数的目标函数；对目标函数进行函数求解，得到函数求解矩阵，利用函数求解矩阵更新约束条件，得到更新约束条件；利用更新约束条件查询目标函数的目标求解矩阵。本发明专利技术可以提升半导体晶圆加工下的清洗设备控制智能化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆，尤其涉及一种基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法及系统。

技术介绍

1、基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法是指控制清洗设备清洗晶圆的过程，旨在通过智能化技术代替人工设备控制，从而减少晶圆的污染度与受清洗影响而产生的磨损度。

2、目前，清洗设备控制方法通常是检测晶圆与清洗设备的参数、动作及状态等，来判断当下的清洗设备需要进行的下一步控制，从而向清洗设备发出控制命令，利用控制命令实现清洗设备的控制，在这个过程中，涉及到清洗设备的参数、动作及状态等的调整，其中动作与状态的调整均依赖于参数的调整，一般清洗设备上会设置有附带按键的控制系统，由人工决策下一步的按键，通过按键对应的命令来控制清洗设备的参数，这个过程需要人工对清洗设备的当前参数进行判断，并且选取最优的控制参数，这个过程显然不够智能化。因此，半导体晶圆加工下的清洗设备控制智能化不足。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法及系统，可以提升半导体晶圆加工下的清洗设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述半导体晶圆的晶圆磨损度与晶圆清洁度，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述识别所述晶圆磨损度与所述待控制参数之间的磨损度-参数关系，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待控制参数进行参数标准化，得到标准化参数，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述标准化参数的约束条件，包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述磨损度-...

【技术特征摘要】

1.一种基于半导体晶圆加工下的清洗设备控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述半导体晶圆的晶圆磨损度与晶圆清洁度，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述识别所述晶圆磨损度与所述待控制参数之间的磨损度-参数关系，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待控制参数进行参数标准化，得到标准化参数，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述标准化参数的约束条件，包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨善，
申请(专利权)人：深圳洁盟技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：