一种气体吸收系统技术方案

技术编号:42442690 阅读:16 留言:0更新日期:2024-08-16 16:50
本申请提供一种气体吸收系统,用于气柜内出现能够与气体捕消剂反应的气体泄漏时的吸收,气柜上设有进气口和出气口,包括:监测装置,监测装置设置在气柜内;第一三通,第一三通的第一端通过第一管路与出气口连通;第二三通,第二三通的第一端通过第二管路与第一三通的第二端连通,第二管路上设置有第一控制阀;第一吸收容器,第一吸收容器通过第三管路与第二三通的第二端连通;第二吸收容器,第二吸收容器通过第五管路与第一三通的第三端连通,第五管路上设置有第二控制阀;捕消剂释放装置,捕消剂释放装置与第二吸收容器连通;控制器,控制器与监测装置、第一控制阀、所述第二控制阀以及所述捕消剂释放装置通信连接。通过该气体吸收系统可以自动降低泄漏气体泄漏风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及气体吸收,特别涉及一种气体吸收系统


技术介绍

1、半导体制造中经常会使用危害人体健康的有毒气体,例如氯气,当人体吸入浓度为5ppm的氯气时会造成中度呼吸困难,当人体吸入浓度为30ppm以上的氯气时造成严重的咳嗽、哽塞感、呕吐以及胸部疼痛等,当人体吸入的气体浓度为900ppm则会立即致命,而如果空气中的气体浓度达到7ppm~8ppm时会刺激眼睛。因此,在半导体生产中,当有毒气体例如氯气等出现意外泄露时,如果不及时处理,会造成极大的危害。

2、因此,如何在有毒气体泄露时及时进行处理是目前亟需解决的问题。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种气体吸收系统,用于气柜内的气瓶发生能够与气体捕消剂反应的气体泄漏时的吸收,所述气柜上设有进气口和出气口,包括:监测装置,所述监测装置设置在所述气柜内,被配置为监测所述气柜内的气体浓度;第一三通,所述第一三通的第一端通过第一管路与所述出气口连通;第二三通,所述第二三通的第一端通过第二管路与所述第一三通的第二端连通,所述第二管路上设置有第一控制阀;第一吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体吸收系统,用于气柜内出现能够与气体捕消剂反应的气体泄漏时的吸收,所述气柜上设有进气口和出气口,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述第一吸收容器的数量为多个,多个所述第一吸收容器依次通过管路连通;其中,首尾两个所述第一吸收容器分别通过所述第三管路和所述第四管路分别与所述第二三通的第二端连通和所述进气口连通。

3.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述捕消剂释放装置包括气瓶和设置在所述气瓶内的气囊,所述气瓶内充有高压气体,所述气囊内存放有所述气体捕消剂,所述气囊上设置有气囊口,所述气囊口与所述第二吸收容器连...

【技术特征摘要】

1.一种气体吸收系统,用于气柜内出现能够与气体捕消剂反应的气体泄漏时的吸收,所述气柜上设有进气口和出气口,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述第一吸收容器的数量为多个,多个所述第一吸收容器依次通过管路连通;其中,首尾两个所述第一吸收容器分别通过所述第三管路和所述第四管路分别与所述第二三通的第二端连通和所述进气口连通。

3.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述捕消剂释放装置包括气瓶和设置在所述气瓶内的气囊,所述气瓶内充有高压气体,所述气囊内存放有所述气体捕消剂,所述气囊上设置有气囊口,所述气囊口与所述第二吸收容器连通,所述气囊口上设置有第三控制阀所述第三控制阀与所述控制器通信连接。

4.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述第一管路上设置有防爆防腐风机,所述防爆防腐风机与所述控制器通信连接。

5.根据权利要求1所述的气体吸收系统,其特征在于,所述第三管路上设置有第一单向阀,所述第一单向阀被配置为实现从所述第二三通的第二端到所述第一吸收容器的单向导通。

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:马泽殷梓卿周涛张青青
申请(专利权)人:北方集成电路技术创新中心北京有限公司
类型:新型
国别省市:

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