一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用技术

技术编号:42434961 阅读:32 留言:0更新日期:2024-08-16 16:45
本发明专利技术属于真空镀膜技术领域,公开一种类玫瑰金复合膜及其制备方法与应用。本发明专利技术利用中频磁控溅射技术在基底上沉积打底层;然后利用高功率脉冲磁控溅射技术与中频磁控溅射技术复合的复合磁控溅射技术在打底层上依次沉积过渡层、表面层,得到TiN/TiCN的类玫瑰金复合膜,其中,打底层为纯Ti层,过渡层为TiN层,表面层为TiCN层。本发明专利技术结合了中频磁控溅射和高功率磁控溅射技术,综合了两工艺的优势,改善了二者的缺陷,适用范围广,可适用于大多数金属材料,且绿色环保。本发明专利技术制备的膜层的晶格之间配合良好,所得类玫瑰金复合膜具有优良的力学性能及膜基结合力;且原子配比得当,具有类玫瑰金的理想颜色。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于真空镀膜,特别涉及一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用


技术介绍

1、过渡族的二元氮化物中tin薄膜因其具有高的热稳定性、耐腐蚀性、机械硬度及其低的电阻率而闻名,在微电子工业、保护涂层、刀具涂层等领域被广泛应用,但随着社会的发展,人们对高性能薄膜的追求越来越强烈,通过向tin中添加一些金属或非金属元素形成三元氮化物,能够有效地满足人们的需求。通过添加c元素得到的ticn薄膜不仅具有更为优异的力学性能和摩擦性能,玫瑰金的颜色使其在装饰膜领域也获得了广泛的应用。

2、ticn薄膜通常采用物理气相沉积(physical vapour deposition,pvd)技术制备,但传统pvd薄膜组织疏松往往出现孔洞、针孔等缺陷,导致薄膜力学性能较差,且在腐蚀介质中易被腐蚀。磁控溅射技术具有节能节材、清洁安全、高精度高质量等优点,一般的磁控溅射技术如中频磁控溅射能够沉积得到具有良好力学性能的薄膜。

3、而磁控溅射技术发展至今,一般的磁控溅射技术制备的ticn薄膜难以满足更高质量的应用需求,在装饰膜领域,对类玫瑰金膜层更本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:利用中频磁控溅射技术,在基底上沉积打底层;然后利用高功率脉冲磁控溅射技术与中频磁控溅射技术复合的复合磁控溅射技术在打底层上依次沉积过渡层、表面层,得到TiN/TiCN的类玫瑰金复合膜,其中,打底层为纯Ti层,过渡层为TiN层,表面层为TiCN层。

2.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

3.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于:

4.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述沉积打底层的气氛为氩气,气流量为1...

【技术特征摘要】

1.一种类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:利用中频磁控溅射技术,在基底上沉积打底层;然后利用高功率脉冲磁控溅射技术与中频磁控溅射技术复合的复合磁控溅射技术在打底层上依次沉积过渡层、表面层,得到tin/ticn的类玫瑰金复合膜,其中,打底层为纯ti层,过渡层为tin层,表面层为ticn层。

2.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

3.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于:

4.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述沉积打底层的气氛为氩气,气流量为150~300sccm,优选为180~250sccm;所述沉积的时间为5~30min。

5.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述ti靶的靶电流为10~50a,优选为25~45a。

6.根据权利要求1所述类玫瑰金复合膜的制备方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:康志新黄诗琦孔晶钱锦陈德馨龙雁郭新刚范伟华沈耿哲陈正件王运鹏黄裕坤谢见文张广忠徐林王天萍
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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