【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构形成方法。
技术介绍
1、随着集成电路制造工艺技术的特征尺寸逐渐缩小，对于半导体器件的要求也越来越严苛；目前，为提高晶体管的性能及应用，逐步出现多高度的鳍结构半导体器件。多高度鳍式晶体管在制程中往往需要利用刻蚀等工艺，而由于鳍结构高度不一，在进行刻蚀时难以控制刻蚀深度，从而影响鳍结构的实际高度。因此，如何在多高度鳍式晶体管制程中，保证鳍结构的高度不受损是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种半导体结构及半导体结构形成方法，旨在解决现有技术中多高度鳍式晶体管制程中，鳍结构的高度容易受损的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种半导体结构，半导体结构包括衬底、形成于衬底上方的多个鳍结构以及形成于相邻鳍结构之间的隔离层，暴露于隔离层上方的鳍结构具有多种高度，隔离层的上表面为共平面。
3、可选的，形成于相邻鳍结构之间的各沟槽的底面为共平面。
4、为实现上述目的，本...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括衬底、形成于所述衬底上方的多个鳍结构以及形成于相邻鳍结构之间的隔离层，暴露于隔离层上方的鳍结构具有多种高度，所述隔离层的上表面为共平面。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，形成于相邻鳍结构之间的各沟槽的底面为共平面。
3.一种半导体结构形成方法，其特征在于，所述半导体结构形成方法包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述提供一衬底，并在所述衬底上形成一第一外延部分，包括：
5.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括衬底、形成于所述衬底上方的多个鳍结构以及形成于相邻鳍结构之间的隔离层，暴露于隔离层上方的鳍结构具有多种高度，所述隔离层的上表面为共平面。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，形成于相邻鳍结构之间的各沟槽的底面为共平面。
3.一种半导体结构形成方法，其特征在于，所述半导体结构形成方法包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述提供一衬底，并在所述衬底上形成一第一外延部分，包括：
5.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述提供一衬底，并在所述衬底上形成一第一外延部分，...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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