温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体结构及半导体结构形成方法，涉及半导体技术领域。半导体结构包括衬底、形成于衬底上方的多个鳍结构以及形成于相邻鳍结构之间的隔离层，暴露于隔离层上方的鳍结构具有多种高度，隔离层的上表面为共平面。本发明通过在具有多重高度鳍结构...
该专利属于深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。