【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及离子注入机，具体涉及一种用于离子注入机的一价离子过滤装置及离子注入机。
技术介绍
1、随着中束流离子注入机的逐步广泛应用，其工艺也更加多样化，当使用目前中束流离子注入机做二价离子(如p++/n++)的注入工艺时，在一定的引出电压下(以60kv引出电压为例)，离子源区有一价分子团在质量分析器入口前团簇分离，分离出的一价离子能量减半(约30kev)，继续经过质量分析器，它们与二价离子(120kev)偏转半径相同(根据磁场对离子的偏转公式计算得到)，共同被“筛选”出，导致部分一价离子与所需要的二价离子一样也经过加速、扫描、偏转等进入到靶室，对晶片进行误注入，该现象称为一价离子的能量污染，最终造成工艺晶片局部剂量超标的现象，导致离子注入机的均匀性指标无法达到。
2、目前国内该离子注入机机型(先分析后加速)仅在质量分析器出口设置了一个束流值测量装置，该装置无法满足离子注入机在进行二价工艺时过滤一价离子的需求。
3、而国外离子注入机广泛采用的是先加速后分析的光路结构来避免该能量污染，对离子先加速后，再分析，...
【技术保护点】
1.一种用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，包括真空腔体(3)，所述真空腔体(3)上设有束流入口，所述束流入口与离子注入机中质量分析器(1)的出口对接，所述真空腔体(3)内部设有膜片透镜组件(4)，所述膜片透镜组件(4)包括过滤电极组件(401)，用于抑制束流中一价离子通过。
2.根据权利要求1所述的用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，所述过滤电极组件(401)包括过滤电极(4011)和两块第一地电极(4012)，所述过滤电极(4011)位于两块第一地电极(4012)之间。
3.根据权利要求2所述的用于离子注入机的一价离子过...
【技术特征摘要】
1.一种用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，包括真空腔体(3)，所述真空腔体(3)上设有束流入口，所述束流入口与离子注入机中质量分析器(1)的出口对接，所述真空腔体(3)内部设有膜片透镜组件(4)，所述膜片透镜组件(4)包括过滤电极组件(401)，用于抑制束流中一价离子通过。
2.根据权利要求1所述的用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，所述过滤电极组件(401)包括过滤电极(4011)和两块第一地电极(4012)，所述过滤电极(4011)位于两块第一地电极(4012)之间。
3.根据权利要求2所述的用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，所述过滤电极(4011)通过真空电极(403)供电，供电电压大于等于0.6倍的一价离子的引出电压值。
4.根据权利要求1或2或3所述的用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于，所述膜片透镜组件(4)还包括抑制电极组件(402)，用于抑制二次电子的产生。
5.根据权利要求4所述的用于离子注入机的一价离子过滤装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：易镓，彭立波，罗才旺，郭锐利，卓勇军，李进，
申请(专利权)人：北京烁科中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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