【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆加工,具体涉及到一种对晶圆片进行减薄的磨削装置。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,是通过晶棒切割制得。由于不同的半导体器件所需求的厚度不同,所以在晶圆片进行制程前需要对其背面打磨减薄,以获得需求厚度的晶圆片。现有技术中对晶圆片打磨时,通常是将晶圆的正面贴上蓝膜后放在打磨槽内通过打磨头进行打磨,待打磨完成后取出再放入另一片晶圆,这样的方式,在打磨的工作中,往往会进行装载的等待,等待取下以打磨完的晶圆以及等待放入待打磨的晶圆,在此过程中不进行打磨工作,从而造成了时间的浪费,降低了工作效率。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术中的不足之处,本技术提出一种对晶圆片进行减薄的磨削装置。
2、为了实现上述技术效果,本技术采用如下方案:
3、一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,包括机架,所述机架上设有旋转打磨台、升降支撑架、x轴伸缩架、y轴移动机构以及打磨头;
4、所述旋转打磨台包括水平设置在机架上转动的旋转架,所述旋转架通过第一电机
...【技术保护点】
1.一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,其特征在于,包括机架,所述机架上设有旋转打磨台、升降支撑架、X轴伸缩架、Y轴移动机构以及打磨头(6);
2.如权利要求1所述的一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,其特征在于,所述升降支撑架包括位于下端的固定支撑柱(8)以及位于上端的滑动支撑柱(9),所述固定支撑柱(8)与机架连接,所述固定支撑柱(8)的上端朝下延伸设有纵向滑孔,所述滑动支撑柱(9)与纵向滑孔相匹配,所述滑动支撑柱(9)的下端滑动插入纵向滑孔内,所述固定支撑柱(8)上固定安装有竖直设置的第一推进气缸(10),所述第一推进气缸(10)的伸缩杆朝上并与滑动支撑柱(
...【技术特征摘要】
1.一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,其特征在于,包括机架,所述机架上设有旋转打磨台、升降支撑架、x轴伸缩架、y轴移动机构以及打磨头(6);
2.如权利要求1所述的一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,其特征在于,所述升降支撑架包括位于下端的固定支撑柱(8)以及位于上端的滑动支撑柱(9),所述固定支撑柱(8)与机架连接,所述固定支撑柱(8)的上端朝下延伸设有纵向滑孔,所述滑动支撑柱(9)与纵向滑孔相匹配,所述滑动支撑柱(9)的下端滑动插入纵向滑孔内,所述固定支撑柱(8)上固定安装有竖直设置的第一推进气缸(10),所述第一推进气缸(10)的伸缩杆朝上并与滑动支撑柱(9)固定连接。
3.如权利要求1所述的一种对晶圆片进行减薄的磨削装置,其特征在于,所述y轴移动机构包括沿着y轴方向固定设于机架上的导轨(11),所述升降支撑架的下端固定设有配合滑动安装于导轨(11)上的滑动座(12),所述滑动座(12)上沿着滑动方向贯穿设有一丝孔,所述丝孔内穿设有丝杆(13),所述丝杆(13)转动安装于机架上,所述丝杆(13)通过第三电机驱动转动。
4.如权利要求1所述的一种对晶圆片进行减薄的磨削装...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈超,
申请(专利权)人:浙江吉进科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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