提供了一种源气体喷嘴和一种半导体晶圆处理设备。该源气体喷嘴包括：上游管；下游管；和连接上游管和下游管的U形弯管，其中多个第一排气孔沿着上游管和下游管中的至少一个在纵长方向上设置，并且非排气孔区和包括多个第二排气孔的不对称排气孔区设置在上游管和下游管中的相对的管中，并且其中非排气孔区和不对称排气孔区相邻。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种源气体喷嘴和包括源气体喷嘴的半导体晶圆处理设备。
技术介绍
1、通常，半导体制造工艺包括一系列子工艺。这些子工艺可包括沉积工艺、光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等。这些子工艺中的一些(例如，沉积工艺、扩散工艺等)可在真空反应室(还称作“管道”)中并且通过使用半导体晶圆处理设备被执行。例如，半导体晶圆处理设备可为化学气相沉积(cvd)装置、原子层沉积(ald)装置或扩散炉。
2、具体地，原子层沉积工艺可包括通过喷嘴中的孔喷出气体，喷嘴中的孔中的一个或多个孔可与真空反应室中的晶圆对齐。在原子层沉积工艺中，从每个孔喷射的气体量可能是确定形成在晶圆上的沉积层的厚度的因素。
3、很难从喷嘴的所有孔实现均匀的流率。就上u形弯管喷嘴而言，随着与气体进口的距离增加，流率可变慢，从孔远离气体进口喷出的气体的流率可以是低的，并且沿着喷嘴的长度形成在晶圆上的沉积层的均匀度可减小。在一些情况下，可将一定数量的虚设晶圆设置在反应管道中，以实现均匀的沉积层厚度。然而，虚设晶圆的使用降低了每批制造的晶圆的数量。
r/>技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种源气体喷嘴，包括：
2.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述多个第一排气孔在所述纵长方向上布置为一行，并且
3.根据权利要求2所述的源气体喷嘴，其中，所述多个第二排气孔包括大于所述多个第一排气孔的多个第一孔和小于所述多个第一排气孔的多个第二孔，其中，所述多个第一孔和所述多个第二孔按照矩阵交替布置。
4.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述U形弯管包括在所述非排气孔区和所述不对称排气孔区上方的延伸部分，
5.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述U形弯管的最大直径大于所述上游管和所述下游管的直径之和。
6....
【技术特征摘要】
1.一种源气体喷嘴，包括：
2.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述多个第一排气孔在所述纵长方向上布置为一行，并且
3.根据权利要求2所述的源气体喷嘴，其中，所述多个第二排气孔包括大于所述多个第一排气孔的多个第一孔和小于所述多个第一排气孔的多个第二孔，其中，所述多个第一孔和所述多个第二孔按照矩阵交替布置。
4.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述u形弯管包括在所述非排气孔区和所述不对称排气孔区上方的延伸部分，
5.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述u形弯管的最大直径大于所述上游管和所述下游管的直径之和。
6.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，延长管连接至所述上游管的进口侧并且设置在所述上游管的所述多个第一排气孔下方。
7.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，其中，所述多个第一排气孔布置为沿着所述源气体喷嘴的长度延伸的一行，并且
8.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，还包括：
9.根据权利要求8所述的源气体喷嘴，其中，所述第二上游管以一定角度远离所述纵长方向延伸。
10.根据权利要求1所述的源气体喷嘴，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李相烨，崔世彬，朴智誉，黄炳浩，金圣协，安泰兴，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。