【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子器件领域，尤其涉及一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器。
技术介绍
1、随着大数据，云计算，物联网为代表的新一代通信技术迅猛发展发展，对探测器频率带宽、灵敏度、集成度的要求也越来越高。5g时代的到来，传输网将向100g进行扩容。在波导集成探测器中，波导中的光沿传输方向逐渐耦合进入吸收层。光在沿波导传输的同时被吸收层吸收，光的传播方向与光生载流子的运输方向相互垂直，因此可以在提高带宽的同时而不抑制响应度。这解决了在传统面入射探测器中，提高带宽和响应度相互制约的问题。
2、波导集成型探测器为了实现对入射光的充分吸收，提高量子效率，往往需要增大吸收区厚度或长度。吸收区厚度增大时，不仅暗电流有所增大，而且会导致载流子的渡越时间增加，从而减小探测器的带宽。结合对噪声等效功率的分析，吸收层长度对暗电流的影响远远小于吸收层厚度，并且对带宽没有明显的抑制作用。因此为了提高探测器的响应度和带宽，在设计中通常选择增加吸收区长度。但是暗电流也会随着器件长度的增加而提高，这限制了中红外波导探测器的灵敏度。因此，本领...
【技术保护点】
1.一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，包括：波导结构，所述的波导结构包括从上至下依次布置的波导层和下包层，所述的波导结构顶面连接有探测器结构；
2.根据权利要求1所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的超晶格弱P型吸收区的平面尺寸大小为10μm×50μm-100μm×500μm，与超晶格N型接触层形成浅台面。
3.根据权利要求1所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的波导部底面设置有衬底，所述的衬底包括InAs衬底或GaSb衬底，所述的衬底的厚度为300-100
【技术特征摘要】
1.一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，包括：波导结构，所述的波导结构包括从上至下依次布置的波导层和下包层，所述的波导结构顶面连接有探测器结构；
2.根据权利要求1所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的超晶格弱p型吸收区的平面尺寸大小为10μm×50μm-100μm×500μm，与超晶格n型接触层形成浅台面。
3.根据权利要求1所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的波导部底面设置有衬底，所述的衬底包括inas衬底或gasb衬底，所述的衬底的厚度为300-1000μm。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的波导层包括gaassb波导层，所述的gaassb波导层的厚度为700-1500nm。
5.根据权利要求1或3所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的下包层包括n型掺杂的inas下包层，所述的n型掺杂的浓度为5×1017-5×1018cm-3。
6.根据权利要求1或2所述的一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，其特征在于，所述的超晶格弱p型吸收...
【专利技术属性】
技术研发人员：周易，裴金狄，柴旭良，陈建新，
申请(专利权)人：国科大杭州高等研究院，
类型：发明
国别省市：
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