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本发明公开了一种基于浅台面结构的低暗电流波导集成型探测器，包括：波导结构，波导结构包括从上至下依次布置的波导层和下包层，所述的波导结构顶面连接有探测器结构；所述的探测器结构包括顶面边缘刻蚀的超晶格弱P型吸收区，所述的超晶格弱P型吸收区底面设...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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