IGBT器件的测试方法、测试装置及测试系统制造方法及图纸

本申请提供一种IGBT器件的测试方法、测试装置及测试系统，涉及半导体技术领域。该方法包括控制测试系统对待测IGBT器件的栅极和发射极进行低压漏电流测试，得到第一低压漏电流测试结果；控制测试系统对待测IGBT器件的集电极和发射极进行低压漏电流测试，得到第二低压漏电流测试结果；若第一低压漏电流测试结果和/或第二低压漏电流测试结果达到第一失效停测设定条件，则控制测试系统停止对待测IGBT器件进行高压测试。本申请的方法能够在低压环境下对IGBT器件的低压漏电流进行测试，若低压漏电流不符合标准则立即停止高压测试，从根源上避免IGBT器件的打火现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种igbt器件的测试方法、测试装置及测试系统。

技术介绍

1、在igbt器件测试过程中，当电压异常或不稳定时，会出现高压打火现象，高压打火可能会造成igbt器件损坏，甚至引起火灾等严重后果，因此，目前的测试存在安全隐患。

2、现有方式中，为了避免igbt器件测试时出现高压打火现象，通常是对测试环境进行改造，例如对igbt器件涂氟油来形成隔离效果以消除打火现象，现有方式没有从根源上消除高压打火现象。

技术实现思路

1、本申请针对上述现有技术中的不足，提供一种igbt器件的测试方法、测试装置及测试系统，以便解决现有技术中存在的问题。

2、本申请实施例采用的技术方案如下：

3、第一方面，本申请实施例提供了一种igbt器件的测试方法，包括：

4、控制测试系统对待测igbt器件的栅极和发射极进行低压漏电流测试，得到第一低压漏电流测试结果；

5、控制所述测试系统对所述待测igbt器件的集电极和发射极进行低压漏电流测试，得到第二低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT器件的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制测试系统对待测IGBT器件的栅极和发射极进行低压漏电流测试，得到第一低压漏电流测试结果，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述测试系统对所述待测IGBT器件的集电极和发射极进行低压漏电流测试，得到第二低压漏电流测试结果，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一低压漏电流测试结果和所述第二低压漏电流测试结果均未达到所述第一失效停测设定条件，所述方法还包括如下至少一项：

5.根据权利要求4所述的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种igbt器件的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制测试系统对待测igbt器件的栅极和发射极进行低压漏电流测试，得到第一低压漏电流测试结果，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述测试系统对所述待测igbt器件的集电极和发射极进行低压漏电流测试，得到第二低压漏电流测试结果，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一低压漏电流测试结果和所述第二低压漏电流测试结果均未达到所述第一失效停测设定条件，所述方法还包括如下至少一项：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述测试系统对所述待测igbt器...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡傲雪，胡强，孟繁新，封明辉，黄庆波，赵伟，何家霖，岳兰，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：