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本申请提供一种IGBT器件的测试方法、测试装置及测试系统，涉及半导体技术领域。该方法包括控制测试系统对待测IGBT器件的栅极和发射极进行低压漏电流测试，得到第一低压漏电流测试结果；控制测试系统对待测IGBT器件的集电极和发射极进行低压漏电流...
该专利属于成都高投芯未半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都高投芯未半导体有限公司授权不得商用。

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