一种用于KDP晶体DPN水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法技术

本发明专利技术一种用于KDP晶体DPN水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，涉及微纳制造领域，为解决现有方法无法将KDP元件表面微纳缺陷三维形貌转化为DPN水溶修复形貌演变模拟模型初始值进行微纳缺陷三维形貌演变模拟的问题。包括：步骤一、采集KDP光学元件表面微纳缺陷三维云图；步骤二、对三维云图进行预处理，转换导出为一维数组；步骤三、对一维数组进行零点偏移和归一化缩放；步骤四、对一维数组进行二维像素矩阵映射变换；步骤五、重写为灰度图像后导入模拟模型，对每个二维像素点进行坐标映射；步骤六、进行反演变换实现三维云图的重建；步骤七、进行初始化并求解，得到以缺陷实际形貌为初始值的DPN水溶修复形貌演变过程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳制造，具体而言，涉及一种用于kdp晶体dpn水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法。

技术介绍

1、强激光装置能够在实验室条件下形成高温、高压的极端物理条件，是推动惯性约束聚变、高能量密度物理、强场物理等前沿学科发展的关键技术。其中，激光驱动惯性约束聚变(ld-icf)是生产清洁能源，解决未来能源危机的理想途径，能为构建清洁低碳的现代化能源体系提供重要支撑，是推动强激光装置发展的主要动力。现阶段，世界上已建成的巨型激光装置主要有美国的国家点火装置(nif)，法国的兆焦耳激光装置(lmj)，中国的巨型聚变装置等。这些强激光装置中安装有大量的高质量大口径磷酸二氢钾(kdp)晶体元件，如等离子体电光开关、偏振旋转器、二/三倍频转换器等，以实现激光束的传输、频率转换等功能。目前，单点金刚石飞刀铣削是主流的kdp晶体元件超精密加工技术，但受限于现阶段制造工艺水平的不足，超精密加工后的kdp晶体元件表面会残留微纳级别的表面缺陷，如划痕、凹坑、凸点、裂纹等。这些缺陷点会与入射激光发生强相互作用，剧烈吸收激光能量造成激光损伤，而后这些损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于KDP晶体DPN水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于KDP晶体DPN水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，其特征在于，步骤一中所述的探针扫描参数包括AFM探针扫描范围、扫描频率、采样点数；所述的KDP光学元件表面微纳缺陷三维云图由一系列AFM探针扫描线组成，扫描线的总数量对应设定的采样点数，纵向和横向长度对应AFM探针扫描范围长度，三维云图包含微纳缺陷的高度信息。

3.根据权利要求2所述的用于KDP晶体DPN水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方...

【技术特征摘要】

1.一种用于kdp晶体dpn水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于kdp晶体dpn水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，其特征在于，步骤一中所述的探针扫描参数包括afm探针扫描范围、扫描频率、采样点数；所述的kdp光学元件表面微纳缺陷三维云图由一系列afm探针扫描线组成，扫描线的总数量对应设定的采样点数，纵向和横向长度对应afm探针扫描范围长度，三维云图包含微纳缺陷的高度信息。

3.根据权利要求2所述的用于kdp晶体dpn水溶修复形貌演变模拟的表面微纳缺陷三维形貌演变模拟方法，其特征在于，步骤二中所述的对kdp光学元件表面微纳缺陷三维云图进行预处理具体为将afm扫描采集得到的kdp光学元件表面微纳缺陷三维云图的背景进行拉平和归零处理，以消除微纳缺陷三维云图采集过程中因机械漂移等造成的图像失真；所述的一维...

【专利技术属性】
技术研发人员：程健，陈广，王备，沈世辰，周诗程，赵林杰，陈明君，丁雯钰，雷鸿钦，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：