结势垒肖特基二极管及其制造方法技术

提供一种浪涌耐性优异且抑制了开关动作时的能量损耗的具备沟槽结构的结势垒肖特基二极管及其制造方法。作为一个实施方式，提供一种结势垒肖特基二极管(1)，其具备：n型半导体层(11)，其具有多个沟槽(111)；p型半导体膜(12)，其设置为与多个沟槽(111)的内表面相接；阳极电极(13)，其设置在n型半导体层(11)的第1面(113)上并与n型半导体层(11)的台面形状部(112)接触，其一部分在多个沟槽(111)内被p型半导体膜(12)覆盖；以及阴极电极(14)，其直接或隔着其它层设置在n型半导体层(11)的第2面(114)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及结势垒肖特基二极管及其制造方法。

技术介绍

1、以往，已知一种沟槽型结势垒肖特基(jbs)二极管(参照专利文献1)，具备：n型半导体层，其形成在n型半导体基板上，具有在与n型半导体基板相反的一侧的面开口的沟槽；p型半导体层，其埋入于n型半导体层的沟槽内；阳极电极，其以与p型半导体层接触的方式形成在n型半导体层上；以及阴极电极，其形成在n型半导体基板的与n型半导体层相反的一侧的面上。

2、根据专利文献1所述的沟槽型jbs二极管，在向阳极电极与阴极电极之间施加了反向的电压时，由于肖特基势垒，电流不流动，此时，耗尽层从p型半导体层扩大，相邻的p型半导体层之间的沟道关闭，因此，漏电流被有效地抑制。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2019-36593号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、然而，根据专利文献1所述的沟槽型jbs二极管，由于p型半导体层是埋入于沟槽内的整个区域的，因此，p型半导体层的电阻大。所以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其中，

3.根据权利要求2所述的结势垒肖特基二极管，其中，

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的结势垒肖特基二极管，其中，

5.一种结势垒肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包含：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其中，

3.根据权利要求2所述的结势垒肖特基二...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冢章夫，
申请(专利权)人：株式会社田村制作所，
类型：发明
国别省市：