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提供一种浪涌耐性优异且抑制了开关动作时的能量损耗的具备沟槽结构的结势垒肖特基二极管及其制造方法。作为一个实施方式，提供一种结势垒肖特基二极管(1)，其具备：n型半导体层(11)，其具有多个沟槽(111)；p型半导体膜(12)，其设置为与多个...
该专利属于株式会社田村制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所授权不得商用。

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