【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、包括双工器的多工器、低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括体声波(surface acoustic wave，saw)滤波器、体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integratedpassive devices，ipd)滤波器等。
2、体声波谐振器的品质因数值(q值)较高，由体声波谐振器制作成的低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即体声波滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器之一。其中，q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3db带宽。体声波滤波器的使用频率一般为0.7ghz至7ghz。
3、当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一衰减部包括第一子部和第二子部，所述第二子部位于所述第一子部外侧；所述第一子部与所述第一谐振部之间的夹角大于或等于90°且小于180°；所述第一子部与所述第二子部之间的夹角大于或等于90°且小于180°。
3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质部位于所述第二子部和所述压电层之间；所述第一介质部位于所述第一子部外侧。
4.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质部还位于部分所述第一子部和所述压电
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一衰减部包括第一子部和第二子部，所述第二子部位于所述第一子部外侧；所述第一子部与所述第一谐振部之间的夹角大于或等于90°且小于180°；所述第一子部与所述第二子部之间的夹角大于或等于90°且小于180°。
3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质部位于所述第二子部和所述压电层之间；所述第一介质部位于所述第一子部外侧。
4.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质部还位于部分所述第一子部和所述压电层之间。
5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质层的厚度范围包括：0.1t至2t，其中t表示所述第一电极层的厚度；所述第一介质部的宽度范围包括：0.2s至6s，其中s表示所述谐振区层叠结构的厚度。
6.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一负载层的厚度范围包括：0.1t至3t，其中t表示所述第一电极层的厚度；所述第一负载层的的宽度范围包括：0.2s至6s，其中s表示所述谐振区层叠结构的厚度。
7.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一负载层的材料密度大于或等于所述第一电极层的材料密度。
8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一负载层位于所述第二介质部与所述第一限制部之间。
9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一限制部位于所述第二介质部与所述第一负载层之间。
10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层的外侧边缘与所述第一负载层的外侧边缘之间的间距范围包括：-2s至2s，其中s表示所述谐振区层叠结构的厚度。
11.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层还包括位于所述第一限制部外侧的第二衰减部，所述第二衰减部围绕所述第一限制部；所述第一介质层还包括第三介质部，所述第三介质部位于所述压电层与所述第二衰减部之间。
12.如权利要求11所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：位于所述第一限制区外侧的第二衰减区，适用于衰减声波，所述第二衰减区围绕所述第一限制区，所述第二衰减区包括第二衰减部和所述第三介质部。
13.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述声反射层包括：空腔或布拉格反射层。
14.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述声反射层是布拉格反射层，所述布拉格反射层位于所述第二侧，所述第二电极层位于所述布拉格反射层与所述压电层之间，所述第二电极层还包括第一非谐振部，所述第一非谐振部位于所述第二谐振部外侧且围绕所述第二谐振部，第一非谐振部对应所述第一衰减部和所述第一限制部；所述第一衰减区还包括与所述第一衰减部对应的所述第一非谐振部，所述第一限制区还包括与所述第一限制部对应的所述第一非谐振部。
15.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述声反射层是空腔，所述空腔位于所述第二侧，所述第二电极层位于所述空腔与所述压电层之间且覆盖所述空腔，所述第二电极层还包括第二非谐振部，所述第二非谐振部位于所述第二谐振部外侧且围绕所述第二谐振部，所述第二非谐振部对应所述第一衰减部和所述第一限制部；所述第一衰减区还包括与所述第一衰减部对应的所述第二非谐振部，所述第一限制区还包括与所述第一限制部对应的所述第二非谐振部。
16.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述声反射层是空腔，所述空腔位于所述第二侧，所述第二电极层位于所述空腔与所述压电层之间，所述第二电极层位于所述空腔内，所述第二电极层还包括第三非谐振部，所述第三非谐振部位于所述第二谐振部外侧且围绕所述第二谐振部，所述第三非谐振部对应所述第一衰减部和所述第一限制部；所述第一衰减区还包括与所述第一衰减部对应的所述第三非谐振部，所述第一限制区还包括与所述第一限制部对应的所述第三非谐振部。
17.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述声反射层是空腔，所述空腔位于所述第一侧，所述第一电极层、所述第一介质层及所述第一负载层位于所述空腔与所述压电层之间，所述第一电极层、所述第一介质层及所述第一负载层位于所述空腔内。
18.如权利要求17所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二电极层还包括第四非谐振部，所述第四非谐振部位于所述第二谐振部外侧且围绕所述第二谐振部，所述第四非谐振部对应所述第一衰减部和所述第一限制部；所述第一衰减区还包括与所述第一衰减部对应的所述第四非谐振部，所述第一限制区还包括与所述第一限制部对应的所述第四非谐振部。
19.如权利要求17所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二电极层还包括位于所述第二谐振部外侧的第三衰减部，所述第三衰减部围绕所述第二谐振部、以及位于所述第三衰减部外侧的第二限制部，所述第二限制部围绕所述第三衰减部。
20.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹雅丽，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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