【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本实施方式涉及制造电路板的方法。
技术介绍
1、通常,电路板是指上面布置有用于连接电气或电子组件的布线的基板。
2、电路板可以通过将金属片(诸如铜片)接合到陶瓷基板(诸如氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)或氮化硅(si3n4))的相对的表面来制造。
3、使用陶瓷基板的电路板的接合方法大致可以分为三种类型:使用由活性金属制成的接合剂进行接合的有源金属钎焊法(amb);使用陶瓷基板的氧化膜进行接合的直接接合法;以及利用金属的沉积和扩散反应的扩散接合法。
4、扩散接合方法可以通过固态反应形成几百纳米的薄沉积层,因此具有能够制造具有优异热冲击特性的印刷电路板的优点,这是因为它与有源金属方法相比使用极少量的金属并且具有优异的接合强度。
技术实现思路
1、技术问题
2、在此
技术介绍
中,本实施方式的一个目的在于提供一种制造电路板的方法,其可以降低生产成本,同时解决在金属片的蚀刻过程中可能出现的问题。
3、技术方案
4、为了实现上
...【技术保护点】
1.一种用于制造电路板的方法,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的用于制造电路板的方法,其中,所述两个或更多个陶瓷基板中的每一个各自具有上沉积层和下沉积层。
3.根据权利要求2所述的用于制造电路板的方法,其中,所述上沉积层和所述下沉积层包括Ag和Ti。
4.根据权利要求2所述的用于制造电路板的方法,其中,通过使所述沉积层的材料与所述陶瓷基板的材料通过热压而反应,来形成接合层,并且
5.根据权利要求3所述的用于制造电路板的方法,其中,Ag的每单位面积的沉积量在3.50g/m2至6.10g/m2的范围内,并且
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于制造电路板的方法,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的用于制造电路板的方法,其中,所述两个或更多个陶瓷基板中的每一个各自具有上沉积层和下沉积层。
3.根据权利要求2所述的用于制造电路板的方法,其中,所述上沉积层和所述下沉积层包括ag和ti。
4.根据权利要求2所述的用于制造电路板的方法,其中,通过使所述沉积层的材料与所述陶瓷基板的材料通过热压而反应,来形成接合层,并且
5.根据权利要求3所述的用于制造电路板的方法,其中,ag的每单位面积的沉积量在3.50g/m2至6.10g/m2的范围内,并且
6.根据权利要求1所述的用于制造电路板的方法,其中,所述上金属片和所述下金属片的面积形成为等于或大于所述两个或更多个陶瓷基板的面积。
7.根据权利要求1所述的用于制造电路板的方法,其中,通过对所述上金属片和所述下金属片进行热压,来执行所述接合。
8.根据权利要求1所述的用于制造电路板的方法,其中,所述陶瓷基板包括si3n4、aln...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵南泰,李俊昊,
申请(专利权)人:LX半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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