【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及体声波滤波器设计,具体而言,涉及一种温度补偿型体声波滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、现有的体声波滤波器一般采用aln材料制作压电薄膜,采用mo制作底电极和顶电极,然而由于aln材料本身的温度漂移系数为负值,该体声波滤波器在温度变化较大的环境中使用时,体声波滤波器的谐振点漂移现象较为严重,以致滤波器频率出现变化,导致严重影响滤波器的性能。
2、针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种温度补偿型体声波滤波器及其制备方法,能够有效控制体声波滤波器的谐振点漂移现象,有效降低环境温度变化对滤波器频率的影响,大大提高滤波器频率的稳定性。
2、第一方面,本专利技术提供一种温度补偿型体声波滤波器,包括依次层叠的第一衬底、底电极、压电层和顶电极,所述压电层由单晶态氮化铝材料或多晶态氮化铝材料制成,还包括温补层,所述温补层位于所述压电层内且被所述压电层完全密封;所述温补层用于提高所述压电层的温度漂移系数。
【技术保护点】
1.一种温度补偿型体声波滤波器,包括依次层叠的第一衬底(100)、底电极(200)、压电层(300)和顶电极(400),所述压电层(300)由单晶态氮化铝材料或多晶态氮化铝材料制成,其特征在于,还包括温补层(500),所述温补层(500)位于所述压电层(300)内且被所述压电层(300)完全密封;所述温补层(500)用于提高所述压电层(300)的温度漂移系数。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型体声波滤波器,其特征在于,所述温补层(500)由SiO2材料制成。
3.根据权利要求1所述的温度补偿型体声波滤波器,其特征在于,所述第一衬底(100)由
...【技术特征摘要】
1.一种温度补偿型体声波滤波器,包括依次层叠的第一衬底(100)、底电极(200)、压电层(300)和顶电极(400),所述压电层(300)由单晶态氮化铝材料或多晶态氮化铝材料制成,其特征在于,还包括温补层(500),所述温补层(500)位于所述压电层(300)内且被所述压电层(300)完全密封;所述温补层(500)用于提高所述压电层(300)的温度漂移系数。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型体声波滤波器,其特征在于,所述温补层(500)由sio2材料制成。
3.根据权利要求1所述的温度补偿型体声波滤波器,其特征在于,所述第一衬底(100)由硅、硅化合物、蓝宝石、ligao2、金属中的任意一种材料制成。
4.根据权利要求1所述的温度补偿型体声波滤波器,其特征在于,所述底电极(200)由al、mo、w、pt、ti、au、ru中的任意一种或多...
【专利技术属性】
技术研发人员:李国强,衣新燕,黎傲雪,
申请(专利权)人:广州市艾佛光通科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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