【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种检测方法，特别是关于一种利用扫描式电子显微镜(sem)图像中的源极/漏极接点的亮与暗状态来判断导线间的缺陷的检测方法。
技术介绍
1、电子束检测(e-beam inspection,ebi)常被用于线上(in line)检查半导体装置的缺陷，其利用扫描式电子显微镜(sem)图像，以图像处理的方式寻找半导体装置上的缺陷。
2、然而，由于半导体装置及器件微缩，伴随着缺陷的尺寸缩小，从sem图像中找出缺陷也变得益发困难。举例来说，当缺陷的尺寸在sem图像中只占用了数个像素时，因解析度的限制，从sem图像中发现缺陷是相当困难的。
技术实现思路
1、本揭露实施例提供一种检测方法，用于检测半导体结构。上述半导体结构包括第一导线以及第二导线，沿着第一方向延伸并沿着第二方向彼此间隔；多个第一晶体管，连接至第一导线，多个第一晶体管中的每一者包括第一接点；多个第二晶体管，连接至第二导线，多个第二晶体管中的每一者包括第二接点；以及第一导线接点，连接至第一导线。上述检测方法包括预充电操...
【技术保护点】
1.一种检测方法，其特征在于，用于检测半导体结构，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第二导线包括多个子导线，其中所述多个子导线至少包括第一子导线及第二子导线，并且所述判断操作更包括：
3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，更包括对所述半导体结构中，所述第一子导线所处的区域进行物性故障分析。
4.一种半导体结构，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管沿着所述第一方向彼此交错设置。
6.如权利要求4所述的半...
【技术特征摘要】
1.一种检测方法，其特征在于，用于检测半导体结构，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第二导线包括多个子导线，其中所述多个子导线至少包括第一子导线及第二子导线，并且所述判断操作更包括：
3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，更包括对所述半导体结构中，所述第一子导线所处的区域进行物性故障分析。
4.一种半导体结构，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管沿着所述第一方向彼此交错设置。
6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导线包括多个子导线，其中所述多个子导线至少包括第一子导线及第二子导线。
7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，更包括第二导线...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦樵，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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