【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体测试，具体涉及一种芯片并行修调方法。
技术介绍
1、芯片在生产制造出来后，我们往往需要对芯片内部的一些模拟数据进行修调动作。
2、模拟数据修调时往往需要先通过测试机给芯片的i/o管脚发送测试向量，且不同芯片所需测试向量的长度不同。
3、相关技术在对多个芯片进行模拟数据修调时，一次只能生成一个特定长度的测试向量给特定芯片，然后在下一次再生成另一特定长度的测试向量给另一芯片，即对芯片逐个串行修调。
4、然而，在面对大规模量产测试时，相关技术的方案效率较低，需要花费大量的测试时间。
技术实现思路
1、本申请提供了一种芯片并行修调方法，可以解决相关技术中效率较低的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种芯片并行修调方法，所述芯片并行修调方法包括以下步骤：
3、生成各个待修调芯片所需的目标测试向量；
4、获取各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数形成目标测试向量周期数组；
5、...
【技术保护点】
1.一种芯片并行修调方法，其特征在于，所述芯片并行修调方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述按各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数与所述目标测试向量目标周期数之间的周期数差值，对各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数进行长度补齐形成实际测试向量的步骤包括：
3.如权利要求2所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述无效电平为低电平。
4.如权利要求1所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述按各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数与所述目标测试向量目标周期数之间的周期数差值，对各个所述...
【技术特征摘要】
1.一种芯片并行修调方法，其特征在于，所述芯片并行修调方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述按各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数与所述目标测试向量目标周期数之间的周期数差值，对各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数进行长度补齐形成实际测试向量的步骤包括：
3.如权利要求2所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述无效电平为低电平。
4.如权利要求1所述的芯片并行修调方法，其特征在于，所述按各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数与所述目标测试向量目标周期数之间的周期数差值，对各个所述待修调芯片对应的目标测试向量周期数补充n个无效电平形成实...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄菡昀，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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