一种HEMT功率器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种HEMT功率器件结构及其制备方法，该HEMT功率器件结构通过在PGaN帽层上形成有呈P型掺杂的GaN鳍结构，且栅极与PGaN帽层接触的界面为肖特基接触，栅极与GaN鳍结构接触的界面中至少包含欧姆接触。即栅极的界面不仅存在肖特基接触，还存在欧姆接触，从而能够结合肖特基接触PGaN栅器件栅漏电低、以及欧姆接触PGaN栅(GIT)器件阈值稳定的优势。通过本发明专利技术，解决了传统肖特基接触P‑GaN栅中，PGaN层电位相对浮动导致阈值不稳定的问题，在实现增强型HEMT功率器件的同时，极大程度提升了PGaN栅增强型HEMT功率器件的栅极可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种hemt功率器件结构及其制备方法。

技术介绍

1、gan材料的禁带宽度大，电子饱和速率高，击穿场强大，特别是al(in,ga)n/gan异质结构形成的高浓度高迁移率的二维电子气(2deg)，可以制成高电子迁移率晶体管(hemt)，使得其在微波大功率器件领域有着巨大的应用潜力。由于极化电荷的存在，al(in,ga)n/gan异质结构hemt功率器件天然是耗尽型的。基于电子电力器件安全工作考虑，pgan栅帽层型的增强型hemt功率器件因具有良好的阈值均匀性和电流输出能力，以及其单片结构使其具有工作在更高频率的潜能，引发了广泛的研究。目前，商用的pgan增强型器件主要为肖特基接触型。肖特基接触型通过使用低功函数金属作为栅金属，使栅金属与p-gan层形成一个反偏的肖特基二极管，抑制了栅极漏电，实现更高的栅电压摆幅。但由于肖特基接触的p-gan层电位相对浮动，存在阈值不稳定问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种hemt功率器件结构及其制备方法，解决了传统肖特基接触pgan栅器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HEMT功率器件结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的HEMT功率器件结构，其特征在于，所述P型掺杂的GaN鳍结构包括：

3.如权利要求2所述的HEMT功率器件结构，其特征在于，所述P++GaN层与所述栅极接触的界面均为欧姆接触。

4.如权利要求2所述的HEMT功率器件结构，其特征在于，所述PGaN鳍层的高度为50～100nm，所述P++GaN层的厚度为10～30nm，所述PGaN鳍层和P++GaN层的截面宽度为50～200nm。

5.如权利要求2所述的HEMT功率器件结构，其特征在于，所述PGaN鳍层和所述P++GaN层...

【技术特征摘要】

1.一种hemt功率器件结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的hemt功率器件结构，其特征在于，所述p型掺杂的gan鳍结构包括：

3.如权利要求2所述的hemt功率器件结构，其特征在于，所述p++gan层与所述栅极接触的界面均为欧姆接触。

4.如权利要求2所述的hemt功率器件结构，其特征在于，所述pgan鳍层的高度为50～100nm，所述p++gan层的厚度为10～30nm，所述pgan鳍层和p++gan层的截面宽度为50～200nm。

5.如权利要求2所述的hemt功率器件结构，其特征在于，所述pgan鳍层和所述p...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴心玥，蒋其梦，黄森，刘新宇，王鑫华，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：