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本发明提供了一种HEMT功率器件结构及其制备方法，该HEMT功率器件结构通过在PGaN帽层上形成有呈P型掺杂的GaN鳍结构，且栅极与PGaN帽层接触的界面为肖特基接触，栅极与GaN鳍结构接触的界面中至少包含欧姆接触。即栅极的界面不仅存在肖特...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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