【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制程领域，尤其涉及一种发光二极管电极的制作方法、发光二极管及显示面板。
技术介绍
1、led(light emitting diode，发光二极管)被广泛认可为第四代照明光源或者绿色光源。因具有节能、环保、寿命长、体积小等各种特点，在各种背光源、普通照明、装饰、显示已经指示等领域倍大量应用，尤其近年来led在普通照明领域被大众人群广泛接受下，整个led行业得到了飞速的发展。
2、随着led技术发展，led芯片尺寸微小化逐渐发展至微米级(micro led，微发光二极管)，由于micro led芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与lcd、oled相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
3、然而芯片尺寸小型化，要在较小的尺寸下完成电极制作，制作工艺难度大，现有工艺进行电极制作时，正负电极难控制等高，且制作工艺较为复杂，成本高。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术存在的问题，本申请提出一种发光二极管电极的制作方法、发光二极管及显示面板，主要解决现有的小尺寸发光二极管电极制作困难，工艺复杂，成本高的问题。
2、为了实现上述目的及其他目的，本申请采用的技术方案如下。
3、本申请提供一种发光二极管电极的制作方法，包括：
4、提供基片，所述基片上设置有包含电极图案的发光二极管本体；
5、在所述电极图案上形成金属过渡层；
6、在所述金属过渡层
7、在最外侧的所述金属结构表面形成保护填充层，得到电极。
8、于本申请一实施例中，所述金属结构包括金属强化层和金属弱化层，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
9、形成所述金属强化层使得所述金属强化层靠近所述金属过渡层一侧；
10、在所述金属强化层背离所述金属过渡层一侧形成所述金属弱化层，其中所述金属强化层厚度大于所述金属弱化层厚度。
11、于本申请一实施例中，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
12、每形成一组所述金属结构，通过预设条件进行低温退火，以使所述金属强化层与所述弱化层之间的金属原子相互扩散；
13、完成所述低温退火后，再进行下一组所述金属结构制作。
14、于本申请一实施例中，所述预设条件包括：加热温度为100摄氏度至250摄氏度之间，加热时间为30分钟至90分钟之间。
15、于本申请一实施例中，所述金属过渡层和所述金属强化层采用面心立方晶体结构的金属材料述弱化层采用密排六方晶体结构的金属材料。
16、于本申请一实施例中，所述金属过渡层的金属材料包括镍；所述金属强化层的金属材料包括：镍、铝、铜、金或银；所述金属弱化层的金属材料包括：镁或钛；所述保护填充层的金属材料包括金。
17、于本申请一实施例中，所述过渡金属层的厚度包括50埃至200埃之间；所述金属强化层的厚度包括500埃至3000埃；所述金属弱化层的厚度包括100埃至500埃之间，所述保护填充层的厚度大于3000埃。
18、于本申请一实施例中，提供基片之前，还包括：
19、通过光刻在所述基片的发光二极管本体上形成所述电极图案，所述电极图案由耐250度以下高温的光刻胶组成。
20、本申请还提供一种发光二极管，包括：
21、发光二极管本体和电极；
22、所述电极包括：
23、形成于发光二极管本体上的金属过渡层；
24、形成于所述金属过渡层背离所述发光二极管本体一侧的至少一组金属结构，所述金属结构用于吸收金属应力并通过所述金属过渡层与所述发光二极管本体建立欧姆连接；以及，
25、形成于最外侧的所述金属结构表面的保护填充层。
26、本申请还提供一种显示面板，包括：
27、基片；
28、多个发光二极管，所述发光二极管设置于所述基片上。
29、如上所述，本申请提供的一种发光二极管电极的制作方法、发光二极管及显示面板，具有以下有益效果。
30、本申请通过成组的金属结构吸收膜层蒸镀过程中产生的应力，可有效防止电极整体断裂，提高成品良率，同时只需要采用一道光刻制程在发光二极管本体上形成电极图案，可最大化电极面积，提高发光二极管芯片性能，且相比于传统的电极两道蒸镀制程成本更低。
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1.一种发光二极管电极的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述金属结构包括金属强化层和金属弱化层，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
3.根据权利要求2所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述预设条件包括：加热温度为100摄氏度至250摄氏度之间，加热时间为30分钟至90分钟之间。
5.根据权利要求2所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述金属过渡层和所述金属强化层采用面心立方晶体结构的金属材料述弱化层采用密排六方晶体结构的金属材料。
6.根据权利要求5所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述金属过渡层的金属材料包括镍；所述金属强化层的金属材料包括：镍、铝、铜、金或银；所述金属弱化层的金属材料包括：镁或钛；所述保护填充层的金属材料包括金。
7.根据权利要求5
8.根据权利要求1所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，提供基片之前，还包括：
9.一种发光二极管，其特征在于，包括：
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管电极的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述金属结构包括金属强化层和金属弱化层，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
3.根据权利要求2所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，在所述金属过渡层背离所述发光二极管本体的一侧形成至少一组金属结构，包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述预设条件包括：加热温度为100摄氏度至250摄氏度之间，加热时间为30分钟至90分钟之间。
5.根据权利要求2所述的发光二极管电极的制作方法，其特征在于，所述金属过渡层和所述金属强化层采用面心立方晶体结构的金属材料述弱化层采用密...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗顺松，黄琪兵，王怀超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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