【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种光学临界修正方法及其装置、存储介质。
技术介绍
1、随着工艺节点的不断推进，为了实现更好的显影效果，负显影技术(negativetone develop，ntd)被业界广泛的使用在20nm及其以下的技术节点的量产中。
2、对于先进工艺中的二维材料膜层(advanced 2d layer)来说，负显影技术往往更容易出现散射条成像(sbar printing)问题。亚分辨率辅助图形(sub-resolutionassistant feature，sraf)，即散射条(scattering bar，sbar)是分辨率增强技术(resolution enhancement technology，ret)不可或缺的一环，是通过散射条图形衍射与主图形的衍射相互作用，达到增强工艺窗口(process window)的效果。尤其对于二维孔洞层(2d hole layer)而言，设置散射条是保证工艺窗口非常重要的步骤。
3、但是散射条如果放置位置不当，或者散射条长度不足，不仅会增加成像分析，同时也会大大削弱散射条的正向作用。尤其在负显影技术中，在平衡成像风险的同时，如何更有效的设置散射条，一直是光学临界修正领域重要的研究课题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是在平衡成像风险的同时，如何更有效的设置散射条。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种光学临界修正方法，包括：
3、提供功能图形，所述功能图形具有
4、可选的，设置预备条状图形的步骤中，沿背向中间的方向，所述预备条状图形的端部伸出所述待保护边的端部。
5、可选的，获得多个预备散射条的步骤中，获得第一预备散射条和第一相邻预备散射条，所述第一相邻预备散射条和所述第一预备散射条相邻设置，所述第一预备散射条的长度小于预设的第一安全长度；对多个所述预备散射条进行修复处理的步骤包括：将所述第一相邻预备散射条和所述第一预备散射条合并，获得第一散射条。
6、可选的，获得多个预备散射条的步骤中，获得所述第一预备散射条和2个长度不等的所述第一相邻预备散射条，所述第一预备散射条位于2个所述第一相邻预备散射条中间；将所述第一相邻预备散射条和所述第一预备散射条合并的步骤中，将所述第一预备散射条和长度较短的所述第一相邻预备散射条合并。
7、可选的，对多个所述预备散射条进行修复处理的步骤包括：基于所述功能图形，判断相邻所述预备散射条之间的切断位置是否为关键功能位置；在相邻所述预备散射条之间的切断位置为关键功能位置时，调整所述预备散射条的长度，获得所述散射条，相邻散射条之间的间隙位置避开所述关键功能位置。
8、可选的，获得多个预备散射条的步骤中，获得第二预备散射条，所述第二预备散射条的长度大于预设的第二安全长度；调整所述预备散射条的长度的步骤包括：沿指向第二预备散射条的中间方向，减小所述第二预备散射条的长度，获得第二散射条，所述第二散射条的长度小于或等于所述第二安全长度。
9、可选的，获得所述待保护边上的切分位置的步骤包括：获得所述待保护边上的切分位置和相邻切分位置之间的待保护边的分段所对应的优先级，所述分段所对应的优先级适宜于表征光刻过程中所述分段的工艺窗口大小；获得多个预备散射条的步骤中，获得相邻的第三预备散射条和第四预备散射条，与所述第三预备散射条所对应的待保护边的分段为第三分段，与所述第四预备散射条所对应的待保护边的分段为第四分段；调整所述预备散射条的长度的步骤中，根据所述第三分段的优先级和所述第四分段的优先级，分别调整所述第三预备散射条和所述第四预备散射条的长度，获得对应的第三散射条和第四散射条。
10、可选的，获得相邻的第三预备散射条和第四预备散射条的步骤中，所述第三分段的优先级高于所述第四分段的优先级；沿第三分段指向第四分段的方向上，延长所述第三预备散射条的长度，并缩短所述第四预备散射条的长度，获得所述第三散射条和所述第四散射条。
11、可选的，获得相邻的第三预备散射条和第四预备散射条的步骤中，多个所述第三分段与所述第三预备散射条相对应，多个所述第四分段与所述第四预备散射条相对应，多个第三分段中最高的优先级高于多个所述第四分段中最高的优先级。
12、可选的，提供功能图形的步骤包括：提供所述功能图形和待切割图形，所述功能图形适宜于切断所述待切割图形；关键功能位置在所述待切割图形上的投影位于所述待切割图形的范围内。
13、可选的，还包括：获得散射条之后，对所述散射条和所述功能图形进行光学临界修正。
14、相应的，还提供一种光学临界修正装置，包括：存储器、处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时，所述处理器执行本专利技术的光学临界修正方法的步骤。
15、和一种存储介质，所述存储介质为计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现本专利技术的光学临近修正方法的步骤。
16、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
17、本专利技术技术方中，在对所述功能图形进行光学临近修正的切分操作，获得所述待保护边上的切分位置之后；根据所述切分位置切断预备条状图形，并根据功能图形和所述切分位置，对所获得的预备散射条进行修复处理，最终获得散射条。散射条的设置方法是以光学临界修正切分操作为基础的散射条切分策略，充分借鉴了成熟的光学临界修正的切分操作，包含了图形本身的特性以及图形周边环境的特性，而且以具备成熟的优先级处理次序的特点，作为传统基于设计规则的散射条设置方法的补充部分，可以极大的弥补散射条设置规则模板过于单一的缺点，能够在全芯片层面大幅减少潜在关键位置的数量，而且这种散射条设置测量能够适用于各种技术节点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光学临界修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，设置预备条状图形的步骤中，沿背向中间的方向，所述预备条状图形的端部伸出所述待保护边的端部。
3.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得第一预备散射条和第一相邻预备散射条，所述第一相邻预备散射条和所述第一预备散射条相邻设置，所述第一预备散射条的长度小于预设的第一安全长度；
4.如权利要求3所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得所述第一预备散射条和2个长度不等的所述第一相邻预备散射条，所述第一预备散射条位于2个所述第一相邻预备散射条中间；
5.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，对多个所述预备散射条进行修复处理的步骤包括：
6.如权利要求5所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得第二预备散射条，所述第二预备散射条的长度大于预设的第二安全长度；
7.如权利要求5所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得所述待保
8.如权利要求7所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得相邻的第三预备散射条和第四预备散射条的步骤中，所述第三分段的优先级高于所述第四分段的优先级；
9.如权利要求8所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得相邻的第三预备散射条和第四预备散射条的步骤中，多个所述第三分段与所述第三预备散射条相对应，多个所述第四分段与所述第四预备散射条相对应，多个第三分段中最高的优先级高于多个所述第四分段中最高的优先级。
10.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，提供功能图形的步骤包括：提供所述功能图形和待切割图形，所述功能图形适宜于切断所述待切割图形；
11.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，还包括：获得散射条之后，对所述散射条和所述功能图形进行光学临界修正。
12.一种光学临界修正装置，包括：存储器、处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时，所述处理器执行权利要求1～11中任一项所述的光学临界修正方法的步骤。
13.一种存储介质，所述存储介质为计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1～11中任一项所述光学临近修正方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种光学临界修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，设置预备条状图形的步骤中，沿背向中间的方向，所述预备条状图形的端部伸出所述待保护边的端部。
3.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得第一预备散射条和第一相邻预备散射条，所述第一相邻预备散射条和所述第一预备散射条相邻设置，所述第一预备散射条的长度小于预设的第一安全长度；
4.如权利要求3所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得所述第一预备散射条和2个长度不等的所述第一相邻预备散射条，所述第一预备散射条位于2个所述第一相邻预备散射条中间；
5.如权利要求1所述的光学临界修正方法，其特征在于，对多个所述预备散射条进行修复处理的步骤包括：
6.如权利要求5所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得多个预备散射条的步骤中，获得第二预备散射条，所述第二预备散射条的长度大于预设的第二安全长度；
7.如权利要求5所述的光学临界修正方法，其特征在于，获得所述待保护边上的切分位置的步骤包括：获得所述待保护边上的切分位置和相邻切分位置之间的待保护边的分段所对应的优先级，所述分段所对应的优先级适宜于表征光刻过程中所述分...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兰芳，李甲兮，丁丽华，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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