高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，属于基片集成波导技术领域，包括：由第一金属层、介质基板及第二金属层组成的矩形基片集成波导谐振器，其中，第一金属层、介质基板及第二金属层自上而下排布，介质基板中设有多个连接第一金属层与第二金属层的通孔金属柱；矩形基片集成波导谐振器还包括凹槽，凹槽将矩形基片集成波导谐振器分割为多个1/4模基片集成波导谐振器。通过利用凹槽将矩形基片集成波导谐振器分割为多个1/4模基片集成波导谐振器，本发明专利技术可以实现较宽的阻带抑制或低插入损耗的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于基片集成波导，具体涉及一种高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器。

技术介绍

1、面对频谱资源稀缺以及通信设备尺寸不断减小的现状，射频微系统对高性能、高集成度、小型化、轻量化滤波器、多工器等频率选择器件的需求大幅增长。毫米波集成无源器件(integrated passive device,ipd)技术有望成为未来射频微系统中高性能无源器件与电路集成的主要选项。为了追求滤波器的更高性能和更小体积，近年来开始更多关注加工设计滤波器的材料、结构和工艺等方面。其中，基片集成波导(substrate integratedwaveguide，siw)的使用和多层工艺的引入，使高性能、高集成度的滤波器设计更加灵活。

2、基片集成波导在上下底面为金属层的低损耗介质基片上构造金属化通孔，从而在介质基片上实现传统波导的功能。基片集成波导在具备高品质因数、低插入损耗和高性能等传统金属波导的特点的同时，在体积、质量和集成度方面有着传统波导无法媲美的优良表现。在此基础上，具有更小体积的半模基片集成波导结构也被提出。半模(half-mode,hm)和1/本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，包括：由第一金属层、介质基板及第二金属层组成的矩形基片集成波导谐振器，其中，所述第一金属层、介质基板及第二金属层自上而下排布，所述介质基板中设有多个连接所述第一金属层与所述第二金属层的通孔金属柱；

2.根据权利要求1所述的高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，还包括输入馈电口、输出馈电口和3D螺旋电感：L1、L2，其中，输入馈电口与输出馈电口均位于所述高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器在当前工作模式下的电场最强处，3D螺旋电感L1、L2分别与所述输入馈电口及所述输出馈电口连接。

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【技术特征摘要】

1.一种高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，包括：由第一金属层、介质基板及第二金属层组成的矩形基片集成波导谐振器，其中，所述第一金属层、介质基板及第二金属层自上而下排布，所述介质基板中设有多个连接所述第一金属层与所述第二金属层的通孔金属柱；

2.根据权利要求1所述的高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，还包括输入馈电口、输出馈电口和3d螺旋电感：l1、l2，其中，输入馈电口与输出馈电口均位于所述高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器在当前工作模式下的电场最强处，3d螺旋电感l1、l2分别与所述输入馈电口及所述输出馈电口连接。

3.根据权利要求1所述的高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述多个1/4模基片集成波导谐振器包括：1/4模基片集成波导谐振器r1、1/4模基片集成波导谐振器r2、1/4模基片集成波导谐振器r3和1/4模基片集成波导谐振器r4；

4.根据权利要求3所述的高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合结构k1包括电容ck1和3d电感：lk1、lk2；

5.根据权利要求3所述的高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述第一金属层还包括输入馈线和输出馈线，所述输入馈电口经...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓贤，范晨晖，朱樟明，张蕾，刘诺，张谦，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：