一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法及器件，涉及半导体器件领域，所述制备方法包括提供具有第一导电类型的衬底，在衬底的中心区制备有源区，所述有源区包括若干并联成一体的元胞；对于任一元胞，包括制备于衬底正面的自对准沟槽，利用自对准沟槽在自对准沟槽下方制备得到第二导电类型阱区，并在第二导电类型阱区内制备得到第一导电类型源区；利用自对准工艺在自对准沟槽的每个内侧壁形成侧墙栅结构，所述侧墙栅结构与第二导电类型阱区及第一导电类型源区交叠；所述侧墙栅结构与衬底上方用于形成第二电极的第二电极金属电连接。该制备方法消除了光刻对位引入的对位偏差，提升了功率器件制备的一致性及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法及器件。

技术介绍

1、商业化的平面型碳化硅mosfet进入中高压市场已有很长时间，倚仗其较大的禁带宽度，较高的热导率以及极低的本征载流子数，平面型碳化硅mosfet相比于硅基igbt存在明显的性能优势，并且该器件的高频传输表现及热传导表现对整体模块带来了进一步的优化。

2、现有的平面型功率器件制备工艺中，n型源区多是通过自对准方式制作的，而p型阱区及平面栅多晶硅均为光刻对位后制备形成的，然而，p型阱区及平面栅多晶硅在光刻对位时会引入对位偏差，容易出现不同元胞内平面栅多晶硅的长度不一致，且平面栅多晶硅与n型源区、p型阱区的交叠长度也不一致的情况，从而导致产品的可靠性下降。同时，由于光刻的关键尺寸(critical dimension，cd)以及套刻精度(overlay)的限制，功率器件制备时的单元节距(pitch)难以进一步缩小，导致芯片的集成度难以提升。

技术实现思路

1、本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种具有侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，提供具有第一导电类型的衬底，并对衬底正面进行正面工艺；

2.根据权利要求1所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，通过自对准工艺制备侧墙栅结构时，在衬底正面及自对准沟槽内壁淀积栅氧化层，并在所述栅氧化层上淀积栅电极层；

3.根据权利要求1所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，利用自对准沟槽在自对准沟槽下方制备第二导电类型阱区时，将自对准沟槽的槽底作为第一注入窗口向衬底内注入第二导电类型杂质离子，以在自对准沟槽下方形成第二导电类型阱区。

4.根据权利要求2所述的具有侧墙栅结构...

【技术特征摘要】

1.一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，提供具有第一导电类型的衬底，并对衬底正面进行正面工艺；

2.根据权利要求1所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，通过自对准工艺制备侧墙栅结构时，在衬底正面及自对准沟槽内壁淀积栅氧化层，并在所述栅氧化层上淀积栅电极层；

3.根据权利要求1所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，利用自对准沟槽在自对准沟槽下方制备第二导电类型阱区时，将自对准沟槽的槽底作为第一注入窗口向衬底内注入第二导电类型杂质离子，以在自对准沟槽下方形成第二导电类型阱区。

4.根据权利要求2所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征在于，在第二导电类型阱区内制备第一导电类型源区时，在衬底正面及自对准沟槽内壁淀积自对准掩膜层，刻蚀上述自对准掩膜层以在自对准沟槽内的每个内侧壁处形成自对准侧墙；

5.根据权利要求4所述的具有侧墙栅结构的功率器件制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴晨凯，王万，李娜，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：