复合集流体及其制备方法、正极极片、二次电池技术

本发明专利技术公开一种复合集流体及其制备方法、正极极片、二次电池，该复合集流体包括基膜层、设置于基膜层至少一表面的第一金属层、设置于第一金属层远离基膜层一侧的第二金属层；其中，第二金属层包括具有凹凸结构的导电层以及填充于导电层的凹陷处的补锂剂，并且补锂剂被填充至与低于或持平于导电层的最高凸起处。本发明专利技术通过在导电层中进行补锂剂的填充，可以消除真空蒸镀导电层时产生的不平整性，得到一种表面粗糙度低的复合集流体，消除了复合集流体因不平整导致的电阻率不一致分布，降低极化，由于没有增加复合集流体的厚度，可以减短锂离子迁移路径，加快锂离子的迁移速率；补锂剂的填充可以减少活性材料中锂的消耗，提升电芯首效和能量密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二次电池，特别涉及一种复合集流体及其制备方法、正极极片、二次电池。

技术介绍

1、一般正极复合集流体的铝层是采用真空蒸镀的方式将铝层镀在高分子层上面，真空蒸镀的过程通常包括：在高分子层表面采用化学气相沉积法沉积一层氧化层，再用物理气相沉积的方式在氧化层上镀一层铝层。

2、然而，采用真空蒸镀的方式镀铝层易造成金属层不均匀，电芯性能不稳定的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种复合集流体及其制备方法、正极极片、二次电池，旨在解决现有正极复合集流体金属层不均匀导致电芯性能不稳定的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提出一种复合集流体，该复合集流体包括基膜层、设置于所述基膜层至少一表面的第一金属层、设置于所述第一金属层远离所述基膜层一侧的第二金属层；其中，所述第二金属层包括具有凹凸结构的导电层以及填充于所述导电层的凹陷处的补锂剂，并且所述补锂剂被填充至低于或持平于所述导电层的最高凸起处。

3、优选地，所述补锂剂选自含锂化合物以及锂复合物中的至少一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合集流体，其特征在于，包括基膜层、设置于所述基膜层至少一表面的第一金属层、设置于所述第一金属层远离所述基膜层一侧的第二金属层；其中，所述第二金属层包括具有凹凸结构的导电层以及填充于所述导电层的凹陷处的补锂剂，并且所述补锂剂被填充至低于或持平于所述导电层的最高凸起处。

2.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述补锂剂选自含锂化合物以及锂复合物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的复合集流体，其特征在于，所述含锂化合物选自Li2O、Li2O2、Li3N、Li2S、Li5FeO4、Li2NiO2中的至少一种；和/或，所述锂复合物选自Li2S/Co、...

【技术特征摘要】

1.一种复合集流体，其特征在于，包括基膜层、设置于所述基膜层至少一表面的第一金属层、设置于所述第一金属层远离所述基膜层一侧的第二金属层；其中，所述第二金属层包括具有凹凸结构的导电层以及填充于所述导电层的凹陷处的补锂剂，并且所述补锂剂被填充至低于或持平于所述导电层的最高凸起处。

2.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述补锂剂选自含锂化合物以及锂复合物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的复合集流体，其特征在于，所述含锂化合物选自li2o、li2o2、li3n、li2s、li5feo4、li2nio2中的至少一种；和/或，所述锂复合物选自li2s/co、lif/co、li2o/co中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述导电层包括铝层；和/或，所述导电层的厚度为1μm～7μm。

5.根据权利要求1所述的复合集流体，其特征在于，所述基膜层包括pet、pp、pe、pi、pp/pe复合膜中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：高能双，罗敬，刘衍长，齐东方，黄波，高云雷，于子龙，陈杰，郑明清，
申请(专利权)人：浙江锂威能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：