温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有侧墙栅结构的功率器件制备方法及器件，涉及半导体器件领域，所述制备方法包括提供具有第一导电类型的衬底，在衬底的中心区制备有源区，所述有源区包括若干并联成一体的元胞；对于任一元胞，包括制备于衬底正面的自对准沟槽，利用自对准沟...
该专利属于江苏索力德普半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏索力德普半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。