【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波无源器件，尤其涉及一种高带外抑制的小型化ltcc环行器。
技术介绍
1、环行器是一种无源、非互易铁氧体器件，能够控制信号单向环行传输，用来实现级间隔离、天线共用等问题。传统环行器由于电路设计的局限性，存在由二三次谐波导致带外性能相对较差的问题。若环行器具有适当的滤波功能，实现一定的带外谐波抑制，可减小系统滤波器的用量，实现系统小型化和轻量化。为了改善环行器谐波频段性能，通常有以下两种途径：第一种方法是减小铁氧体在外偏置磁场和微波场作用下的谐波激发；第二种方法是抑制由铁氧体产生和其它外部非线性器件的谐波分量。第一种方法涉及到环行器旋磁基片材料的选择与优化，该方法通常受器件尺寸和带内性能的制约，可以变化的范围较窄，无法从根本上实现带外良好的谐波抑制特性。第二种方法涉及在环行器的匹配输出回路中将匹配电路设计为低通滤波器(lpf)来增大谐波分量的衰减，这种lpf会形成额外的插入损耗，并受器件尺寸限制。
2、ltcc技术作为一种多层布线基板技术，具有封装密度高、射频特性好、可靠性高等优点。将该技术引入铁氧体环行器中，有助于克服现有铁氧体环行器在谐波抑制上的结构缺点和设计缺点。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高带外抑制的小型化ltcc环行器。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种高带外抑制的小型化ltcc环行器，包括：
3、环行器层，所述环行器层包括中心铁氧体和套设在所述中心铁氧体上的介质环
4、滤波器层，所述滤波器层包括具有叠层架构的介质板，所述介质板的顶面与所述第一金属接地层固定连接，所述介质板的底面设有第二金属接地层，所述介质板内设有三个低通滤波器，三个所述低通滤波器与三个所述枝节一一对应，所述低通滤波器包括滤波器电路结构和围绕所述滤波器电路结构设置的多个接地结构，所述接地结构导通所述第一金属接地层和第二金属接地层，所述第二金属接地层具有对应于三个所述滤波器电路结构设置的三个避空区，所述滤波器电路结构包括接地导体和金属导体，所述接地导体与所述第一金属接地层导通，所述金属导体与所述枝节导通，所述金属导体的部分区域外露于所述避空区以形成馈电端口。
5、本专利技术的有益效果在于：本环行器利用ltcc工艺的叠层结构将低通滤波器有效结合于环行器中，改善了环行器谐波频段的性能，使环行器在带外频段具有较高的带外抑制能力，同时，在满足一定带内性能的同时实现了器件的小型化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述介质环内设有导通结构，所述枝节通过所述导通结构与所述金属导体导通。
3.根据权利要求2所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述导通结构为金属化孔或填充有导电填料的通孔。
4.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述接地结构为金属化孔或填充有导电填料的通孔。
5.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述环行器层、第一金属接地层、滤波器层及第二金属接地层通过LTCC工艺成型为一体式结构。
6.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述中心铁氧体为低温烧结旋磁铁氧体，其相对介电常数为22～28，4πMs为800～1200Gs。
7.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述介质环为低温烧结介电陶瓷环，其相对介电常数为20～40。
8.根据权利
9.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化LTCC环行器，其特征在于，所述中心导体印刷成型在所述环行器层的顶面。
...【技术特征摘要】
1.一种高带外抑制的小型化ltcc环行器，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化ltcc环行器，其特征在于，所述介质环内设有导通结构，所述枝节通过所述导通结构与所述金属导体导通。
3.根据权利要求2所述的高带外抑制的小型化ltcc环行器，其特征在于，所述导通结构为金属化孔或填充有导电填料的通孔。
4.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化ltcc环行器，其特征在于，所述接地结构为金属化孔或填充有导电填料的通孔。
5.根据权利要求1所述的高带外抑制的小型化ltcc环行器，其特征在于，所述环行器层、第一金属接地层、滤波器层及第二金属接地层通过ltcc工艺成型为一体式结构。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐远勇，彭华，张伟，唐浩，倪晶，
申请(专利权)人：深圳市华扬通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。