【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
已知使用III族氮化物半导体材料的激光器二极管不太可能给出良好的远场图 案高斯剖面。更具体而言，通常如图13所示，远场图案的剖面有时候包含整体形状的波纹 或变形。为了参考，图12对比地示出没有波纹的良好的远场图案高斯剖面。 在如图13所示的远场图案剖面中出现不规则性的一个可能原因在于作为用作 构成基板的材料的氮化镓(GaN)或蓝宝石对半导体激光振荡波长(用于蓝光盘(Blu-Ray Disk)应用的405nm)的光是透明的。 通常，激光器二极管的光波导没有示出完全100%的光限制，而是允许光从光波导 逐渐泄漏。换句话说，杂散光产生。同样通常的是光波导不是空间均匀的，而是包含几何形 状、材料的成分、结晶度等的波动。此外，空间波动是泄漏光的原因。 如此产生的杂散光随机地传播通过元件，而不管光波导的模式如何。通常，如果 基板是基于除了 III族氮化物半导体之外的材料系统，则杂散光可以由基板材料吸收。在 该情况下，杂散光可以主要由基板材料吸收，并且因此在不严重影响元件的操作的情况下， 可以立即使杂散光减弱。另一方面，对于利用III族氮化...
【技术保护点】
一种激光器二极管，其在沿着光波导的区域中具有在所述光波导的两侧中的至少一侧上设置的多个结构，每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将所述沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚俊昭，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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