【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、动态存储器(dram)的发展追求高速度、高集成密度、低功耗等性能指标，随着半导体器件结构尺寸的微缩，现有结构所遇到的技术壁垒越来越明显。因此，在现有结构的基础上，开发出更多新颖的结构，是打破现有技术壁垒的有利手段。
2、三维动态随机存取存储器(3d dram)的出现，尤其是包括多层水平存储单元(multilayer horizontal cell，mhc)的3d dram，通常包括在衬底上堆叠设置的多个晶体管，满足了上述需求。
3、由于3d dram集成度高，结构之间的间距缩小，位线的结构布置会极大影响半导体结构的感测裕度(sensing margin)。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：沿竖直方向堆叠的多层存储层，每层存储层中包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的多个存储单元，存储单元包括沿第一方向排布的晶体管和第一电容结构，晶体管包括沟道层和字线结构...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构包括相互连接的导线部和栅极部，所述导线部沿第二方向延伸，所述栅极部位于所述导线部沿所述第一方向的一侧，所述沟道层环绕所述栅极部的侧壁及朝向所述第一电容结构的端面，所述沟道层沿所述第一方向的尺寸小于所述栅极部沿所述第一方向的尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极部包括沿第一方向依次连接的第一栅极部、第二栅极部及第三栅极部，所述第一栅极部邻接于所述导线部，所述第三栅极部邻近于所述第一电容结构；
4.根据权利要求3...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构包括相互连接的导线部和栅极部，所述导线部沿第二方向延伸，所述栅极部位于所述导线部沿所述第一方向的一侧，所述沟道层环绕所述栅极部的侧壁及朝向所述第一电容结构的端面，所述沟道层沿所述第一方向的尺寸小于所述栅极部沿所述第一方向的尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极部包括沿第一方向依次连接的第一栅极部、第二栅极部及第三栅极部，所述第一栅极部邻接于所述导线部，所述第三栅极部邻近于所述第一电容结构；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线位于所述第二栅极部沿第二方向的两侧。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向相邻的位线之间的间距小于沿所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎冠杰，吴楠，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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