【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括外围电路器件的半导体器件。
技术介绍
1、为了满足电子工业快速发展的需求和用户的期望，电子设备正在向更加紧凑和轻量化的方向发展。因此，期望在电子设备中使用具有高集成度的半导体器件，并且减少用于半导体器件的配置的设计规则。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；有源区域，在单元区域中由衬底中的器件隔离层限定；单元字线，在单元区域中在衬底内沿第一水平方向延伸跨过有源区域；单元位线，在单元区域中在衬底上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；外围电路栅极结构，在外围电路区域中在衬底上沿第二水平方向延伸；外围电路间隔物结构，设置在外围电路栅极结构的侧壁上；外围电路蚀刻停止层，在外围电路区域中设置在衬底上，并且与外围电路栅极结构和外围电路间隔物结构分离；以及外围电路接触部，通过在竖直方向上贯穿外围电路蚀刻停止层而连接到衬底的外围电路区域，其中，外围电路间隔物结构包括氮化物...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述外围电路间隔物结构的侧壁包括在所述第一水平方向上不与所述外围电路顶部间隔物绝缘层重叠的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外围电路间隔物结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外围电路偏移层包括多层，其中，所述多层中的每一层包括氮化物或氧化物中的一种。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括
8....
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述外围电路间隔物结构的侧壁包括在所述第一水平方向上不与所述外围电路顶部间隔物绝缘层重叠的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外围电路间隔物结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外围电路偏移层包括多层，其中，所述多层中的每一层包括氮化物或氧化物中的一种。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述外围电路层间绝缘层包括与所述外围电路蚀刻停止层的材料不同的材料。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
13.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：金承唤，张成豪，权志硕，丁海仁，洪承湖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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