温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：沿竖直方向堆叠的多层存储层，每层存储层中包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的多个存储单元，存储单元包括沿第一方向排布的晶体管和第一电容结构，晶体管包括沟道层和字线结构，沟道层至少覆盖部分字线结构...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。