封装结构及其制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构的制造方法包括：提供第一晶圆、第一芯片和多个芯片堆叠体，所述第一晶圆包括多个承载区；将所述芯片堆叠体设置在所述承载区上；将所述第一芯片设置在多个所述芯片堆叠体上；键合所述第一晶圆、所述第一芯片以及所述芯片堆叠体；形成封装层，以封装键合在一起的所述第一晶圆、所述第一芯片以及所述芯片堆叠体；在所述第一晶圆远离所述芯片堆叠体的一侧形成至少电连接所述芯片堆叠体的对外连接端。本公开实施例至少可以提高封装的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体领域，具体涉及一种封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、为提高半导体结构的集成度，可以将很多芯片堆叠并焊接在一起，例如高带宽内存(high bandwidth memory，hbm)和三维堆叠(3-dimensional stack，3ds)存储器。由此，可以将原本一维的布局扩展到三维，进而大幅度提高了芯片的密度。

2、然而，三维堆叠产品的封装结构具有较大机械应力、热应力，且具有翘曲的问题。因而三维堆叠产品的封装方式还有待进一步改进，以提高封装的可靠性。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法至少有利于提高封装的可靠性。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种封装结构的制造方法，其中，封装结构的制造方法包括提供第一晶圆、第一芯片和多个芯片堆叠体，所述第一晶圆包括多个承载区；将所述芯片堆叠体设置在所述承载区上；将所述第一芯片设置在多个所述芯片堆叠体上；键合所述第一晶圆、所述第一芯片以及所述芯片堆叠体；形成封装层，以封装键合在一起的所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，提供的所述第一晶圆在朝向所述芯片堆叠体的一侧设置有第一再布线层，所述对外连接端通过所述第一再布线层电连接所述芯片堆叠体；或者，

3.根据权利要求1或2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，提供的第一晶圆内具有多个穿硅通孔；或者，

4.根据权利要求1或2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆包括多个第一连接端；所述芯片堆叠体包括分布在两个相对表面的第二连接端与第三连接端；所述第一芯片包括多个第四连接端；

5.根据权利要求4所述的...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，提供的所述第一晶圆在朝向所述芯片堆叠体的一侧设置有第一再布线层，所述对外连接端通过所述第一再布线层电连接所述芯片堆叠体；或者，

3.根据权利要求1或2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，提供的第一晶圆内具有多个穿硅通孔；或者，

4.根据权利要求1或2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆包括多个第一连接端；所述芯片堆叠体包括分布在两个相对表面的第二连接端与第三连接端；所述第一芯片包括多个第四连接端；

5.根据权利要求4所述的封装结构的制造方法，其特征在于，第一芯片包括多个功能区，一个所述芯片堆叠体的所述第三连接端连接一个所述功能区的所述第四连接端。

6.根据权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述对外连接端后，对所述第一晶圆、所述第一芯片以及所述封装层进行切割处理，以形成多个封装单体，所述封装单体包括一个所述承载区、一个所述芯片堆叠体、一个所述功能区和部分所述封装层。

7.根据权利要求4所述的封装结构的制造方法，其特征在于，第一芯片包括多个功能区，第一芯片靠近所述芯片堆叠体的一侧设置有第二再布线层，所述第二再布线层将所述多个功能区中至少两个功能区电连接在一起；一个芯片堆叠体的第三连接端电连接至少两个所述功能区的第四连接端。

8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：