【技术实现步骤摘要】
这个公开一般涉及诸如碳化硅功率器件之类的半导体器件，并且更特别地涉及具有实现改进的半导体器件性能的布局的半导体器件单元。
技术介绍
1、诸如碳化硅(sic)功率器件之类的半导体器件广泛用于常规电系统中，以开关或转换电功率以用于由负载进行的消耗。许多电子系统利用各种半导体器件和组件，诸如晶闸管、二极管和各种类型的晶体管(例如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、绝缘栅双极晶体管(igbt)和其他合适的晶体管)。例如，mosfet可以制造为用于高功率应用的分立晶体管封装，或者制造为具有数百万个晶体管的芯片。成千上万的这些晶体管“单元”可以组合成一个器件，以便处置相对高的电流和电压。
2、许多常规mosfet使用竖直结构，其中源极和漏极端子在芯片的相对侧处。竖直取向消除了栅极处的拥挤，并提供了更大的沟道宽度。通常，当半导体器件正传导电流时，器件的导通状态电阻代表其传导损耗，所述传导损耗影响器件的效率及其成本。也就是说，常规半导体器件单元包括多个内部组件，所述多个内部组件可以对流经器件的电流产生阻力。
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【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一拐角区域和第二拐角区域中的每个限定直角。
3.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述沟道区域限定靠近所述第一拐角区域的第三拐角区域。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述沟道区域限定靠近所述第二拐角区域的第四拐角区域。
5.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述JFET区域从所述沟道区域延伸到所述半导体单元周边。
6.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述第一宽度在6微米至18微米的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的系...
【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一拐角区域和第二拐角区域中的每个限定直角。
3.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述沟道区域限定靠近所述第一拐角区域的第三拐角区域。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述沟道区域限定靠近所述第二拐角区域的第四拐角区域。
5.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述jfet区域从所述沟道区域延伸到所述半导体单元周边。
【专利技术属性】
技术研发人员：C·W·希区柯克，S·J·肯纳利，L·D·斯特万诺维奇，
申请(专利权)人：通用电气航空系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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