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一种半导体器件单元包括邻近沟道区域的JFET区域，所述JFET区域限定半导体器件单元的周边。所述JFET区域包括由JFET中间区域分隔的第一拐角区域和第二拐角区域。从邻接所述沟道区域的所述周边的JFET中间区域的边缘延伸到半导体器件单元的周...
该专利属于通用电气航空系统有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气航空系统有限责任公司授权不得商用。

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