【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种接触结构、半导体器件及接触结构的制备方法。
技术介绍
1、在集成电路制造中，随着半导体器件尺寸不断缩小，电阻-电容延迟(rc delay)对半导体器件性能的影响越来越大。如何降低电阻成为改善器件性能的重要研究方向。
2、在传统的接触结构制备工艺中，在填充金半接触通孔时，在通过化学气相沉积来生长导电层时，所采用的反应气体容易与衬底反应而造成缺陷，因此增加了较厚的阻挡层，来阻隔反应气体与衬底。以图1中的接触结构为例，该接触结构包括衬底10、层间介质层20、阻挡层30和导电层40。其中，衬底10上形成有半导体元件110，该半导体元件110例如包括硅化钛(tisi)层，层间介质层20中开设有通孔，该通孔暴露出半导体元件110。阻挡层30和导电层40填充于通孔中。阻挡层30例如包括氮化硅(tin)层或者钛/氮化钛(ti/tin)复合层，导电层40例如为金属钨层。此外，在采用反应气体的填充制程中，一般需要一层籽晶层，此籽晶层具有较大的电阻率。氮化硅层的电阻率大约为300μohm.cm，籽晶层的电阻率大约为2...
【技术保护点】
1.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述通孔的侧壁和底部形成一导电材料种子层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积在所述通孔的侧壁和底部形成导电材料种子层，包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述导电材料种子层的表面形成填充所述通孔的导电材料层，包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电材料种子层的厚度大于或等于3nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法...
【技术特征摘要】
1.一种接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述通孔的侧壁和底部形成一导电材料种子层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积在所述通孔的侧壁和底部形成导电材料种子层，包括如下步骤：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述导电材料种子层的表面形成填充所述通孔的导电材料层，包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电材料种子层的厚度大于或等于3nm。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，董信国，孟昭生，赵朵朵，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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