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本申请提供了一种接触结构、半导体器件及接触结构的制备方法，所述提供一衬底，所述衬底上形成有层间介质层；于所述层间介质层内形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底的表面；于所述通孔的侧壁和底部形成导电材料种子层；于所述导电材料种子层的表面形成填充所述...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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