带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备技术

本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流，通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流，通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流，最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿，得到经高阶温度补偿的带隙基准电压，从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体集成电路，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。

技术介绍

1、基准电压源通常是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源，可以在温度及电源电压变化环境中提供稳定的参考电压，是数模转换器(digital to analogconverter，英文缩写为dac)、模数转换器(analog to digital converter，英文缩写为adc)、线性稳压器(low dropout regulator，英文缩写为ldo)以及开关稳压器等数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块，其输出电压精度、稳定性直接影响着整个电路系统的精度与稳定性。基准电压源电路应用场景广泛，所有模拟与混合信号集成电路芯片，包括信号链传输与处理芯片、电源管理芯片，均需要高精度低温度系数的基准电压。

2、目前公认的电压基准技术为带隙电压基准。传统带隙基准电路采用具有正温度系数的δvbe和具有负温度系数的vbe以一定比例相加的方式实现零温度系数的电压源。其中，负温度系数电压vbe由双极型晶体管的发射结产生，正温度系数电压δvbe由两个工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带有高阶温度补偿的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：带隙基准核心电路模块、参考电流生成模块、正温度系数电流生成模块和高阶温度补偿模块；所述带隙基准核心电路模块分别与所述参考电流生成模块、所述正温度系数电流生成模块以及所述高阶温度补偿模块连接，所述高阶温度补偿模块分别与所述参考电流生成模块以及所述正温度系数电流生成模块连接；

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路模块包括：主环路和共模反馈环路；

3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路模块被设置为产生经一阶温度补偿的带隙基准电压(V...

【技术特征摘要】

1.一种带有高阶温度补偿的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：带隙基准核心电路模块、参考电流生成模块、正温度系数电流生成模块和高阶温度补偿模块；所述带隙基准核心电路模块分别与所述参考电流生成模块、所述正温度系数电流生成模块以及所述高阶温度补偿模块连接，所述高阶温度补偿模块分别与所述参考电流生成模块以及所述正温度系数电流生成模块连接；

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路模块包括：主环路和共模反馈环路；

3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路模块被设置为产生经一阶温度补偿的带隙基准电压(vbg)，包括：

4.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，其中，所述第一三极管为第一npn型三级管(q11)，所述第二三极管为第二npn型三级管(q12)；

5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，其中，

6.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心电路模块被设置为产生经一阶温度补偿的带隙基准电压(vbg)，包括：

7.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的带隙基准电路，其特征在于，所述参考电流生成模块被设置为根据所述带隙基准电压(vbg)生成参考电流(iref)，包括：

9.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流生成模块包括正温度系数电流产生电路和正温度系数电流拷贝电路；

10.根据权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流生成模块被设置为根据所述经一阶温度补偿的带隙基准电压(vbg)生成与温度成正比的正温度系数电流(iptat)，包括：

11.根据权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，其中，所述第三三极管为第六npn型三级管(q31)；

12.根据权利要求11所述的带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流生成模块被设置为根据所述经一阶温度补偿的带隙基准电压(vbg)生成与温度成正比的正温度系数电流(iptat)，包括：

13.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述高阶温度补偿模块包括高阶补偿电流构造电路、高阶补偿电流拆分电路和高阶补偿电流拷贝电路；

14.根据权利要求13所述的带隙基准电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李纪平，苗清，苏昊泽，汪涛，李梦姣，饶光煊，孙铭，余雯昕，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：