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本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经...
该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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