【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置。
技术介绍
1、屏蔽栅沟槽（shielded gate trench,简称sgt）广泛应用于先进的逻辑电路工艺中，其优劣会直接影响到器件的性能，例如屏蔽栅沟槽应用于金属氧化物半导体场效应晶体管（metal oxide semiconductor field effect transistor，简称mosfet）。
2、相关技术中，屏蔽栅沟槽应用于金属氧化物半导体场效应晶体管时，通常先形成从衬底的表面延伸至所述衬底内部的沟槽，在沟槽的底部、侧壁和衬底的表面上形成屏蔽介质材料层，在沟槽内填充部分深度的屏蔽栅，通过回蚀刻的方式去除沟槽内的部分屏蔽介质材料层，以形成屏蔽介质层。由于应用于低电压平台的屏蔽栅沟槽的关键尺寸较小，会导致栅间介电材料层的沉积工艺的填充深宽比增大，而过大的填充深宽比对高密度等离子体（high density plasma，简称hdp）沉积工艺的要求较高，普通的hdp沉积工艺无法满足工艺要求，即相关制备工艺存在hdp沉积工艺受限问题
3、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽的侧壁上形成衬垫层，包括：
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成栅间介质层覆盖所述第二屏蔽栅，包括：
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述屏蔽介质层、部分所述衬垫层、部分所述栅间介质层，以形成位于所述栅间介质层上的第三沟槽的步骤之后，所述屏蔽介质层、所述衬垫层和所述栅间介质层的顶面齐平。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第三沟...
【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽的侧壁上形成衬垫层，包括：
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成栅间介质层覆盖所述第二屏蔽栅，包括：
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述屏蔽介质层、部分所述衬垫层、部分所述栅间介质层，以形成位于所述栅间介质层上的第三沟槽的步骤之后，所述屏蔽介质层、所述衬垫层和所述栅间介质层的顶面齐平。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第三沟槽中形成栅极结构，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：周圣杰，宋金星，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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