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本发明提供一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置，该制备方法包括：提供衬底，形成从衬底的表面延伸至衬底内部的第一沟槽，在第一沟槽的底部和至少部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在第一沟槽中形成有位于屏蔽介质层上的第一屏蔽栅，第一屏蔽栅的顶面低...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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