一种太阳能电池制造技术

技术编号:42298049 阅读:27 留言:0更新日期:2024-08-14 15:47
本技术公开了一种太阳能电池,涉及光伏技术领域,以利于增强第一掺杂区的载流子收集能力,进而利于提升太阳能电池的光电转换效率。该太阳能电池包括:半导体基底、表面钝化层和掺杂剂。上述半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区。表面钝化层形成在半导体基底具有第一掺杂区的一侧。表面钝化层内设有多个导电窗口。掺杂剂用于通过导电窗口贯穿表面钝化层形成第一掺杂区。第一掺杂区包括至少一个掺杂子区。每个掺杂子区与至少三个导电窗口对应。沿掺杂子区的长度方向,每个掺杂子区的两端的形貌不同于掺杂子区的中部的形貌。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏,特别是涉及一种太阳能电池


技术介绍

1、目前太阳电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。其中,光伏太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的,太阳电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。

2、但是,现有的太阳能电池中,形成在半导体基底的向光面和/或背光面的掺杂区的载流子收集能力不佳,不利于提升太阳能电池的光电转换效率。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种太阳能电池,以利于增强第一掺杂区的载流子收集能力,进而利于提升太阳能电池的光电转换效率。

2、本技术提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:半导体基底、表面钝化层和掺杂剂。半导体基底的向光面和/或背光面具有第一掺杂区。表面钝化层形成在半导体基底具有第一掺杂区的一侧。表面钝化层内设有多个导电窗口。掺杂剂用于通过导电窗口贯穿表面钝化层形成第一掺杂区。第一掺杂区包括至少一个掺杂子区。每个掺杂子区与至少三个导电窗口对应。沿掺杂子区的长度方向,每个掺杂子区的两端的形貌不同于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部的纵截面呈弧形或波浪形;和/或,

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部表面由经切割的单个类半球面构成,或由多个类半球面相互重叠构成;和/或,以所述半导体基底的厚度方向观察时每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部呈算盘串珠形;

4.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部的最大宽度小于所述掺杂子区的两端的最大宽度;和/或,

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部的纵截面呈弧形或波浪形;和/或,

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部表面由经切割的单个类半球面构成,或由多个类半球面相互重叠构成;和/或,以所述半导体基底的厚度方向观察时每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部呈算盘串珠形;

4.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,每个所述掺杂子区沿自身长度方向的中部的最大宽度小于所述掺杂子区的两端的最大宽度;和/或,

5.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述掺杂子区的长度方向,每个所述掺杂子区的两端向所述半导体基底内凹入的最大深度大于所述掺杂子区的中部向所述半导体基底内凹入的最大深度。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述掺杂子区的长度方向,所述掺杂子区的两端向所述半导体基底内凹入的最大深度与所述掺杂子区的中部向所述半导体基底内凹入的最大深度的比值大于等于1.61、且小于等于3.46。

7.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述掺杂子区的长度方向,同...

【专利技术属性】
技术研发人员:童洪波李振国於龙王凯靳玉鹏
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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