【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铁电存储器，尤其是涉及一种铪基铁电存储器及其制造方法。
技术介绍
1、随着电子信息产业的飞速发展，信息数据大量迭代增加，现有存储技术难以满足人们对高密度、高速度、低功耗存储的需求。为了达到上述需求，人们将研究方向集中于四种新型存储器，即相变存储器、磁存储器、阻变存储器和铁电存储器。相比于其它存储器，铁电存储器具有速度快、功耗低、可靠性高等优点。
2、目前，铁电存储器包括feram(ferroelectronic random access memory)、fefet(ferroelectric field effect transistor)和ftj(ferroelectric tunnel junction)三种类型。铪基铁电存储器可以微缩到纳米量级，同时与cmos工艺技术兼容。然而，与传统的钙钛矿基铁电存储器相比，铪基铁电存储器的击穿电压和耐久性显得不足，因此需要开发新的技术方法来提高铪基铁电存储器的击穿电压和耐久性。
3、鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种铪基铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，衬底为二氧化硅衬底，二氧化硅衬底的厚度为200-400nm。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，下电极的材质为TiN、W或Ru，下电极的厚度为5-100nm。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，铁电层的材质为Hf0.5Zr0.5O2，铁电层的厚度为1-5nm。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，二氧化钛中间层的厚度为0.1-0.9nm。
6.根据权利要求1所述的制造方...
【技术特征摘要】
1.一种铪基铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，衬底为二氧化硅衬底，二氧化硅衬底的厚度为200-400nm。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，下电极的材质为tin、w或ru，下电极的厚度为5-100nm。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，铁电层的材质为hf0.5zr0.5o2，铁电层的厚度为1-5nm。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，二氧化钛中间层的厚度为0.1-0.9nm。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳，陈远翔，罗庆，谢宏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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