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本发明提供了一种铪基铁电存储器及其制造方法。本发明的铪基铁电存储器的制造方法，包括如下步骤：S1：在衬底上沉积下电极；S2：在下电极上沉积铁电层；S3：在铁电层沉积二氧化钛中间层；S4：在二氧化钛中间层上沉积铁电层；S5：在铁电层上淀积上电...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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