ESD保护陷波电路和放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种ESD保护陷波电路和放大器，双向PIN对管包括N+型衬底和分别靠近于N+型衬底的两边生长的两个I‑型中间层；两个所述I‑型中间层之间绝缘；在所述I‑型中间层上生长有P+型顶层；在所述P+型顶层上设置有P‑型接触层。基于此双向PIN对管，将ESD保护电路和陷波电路集成在一起，可以同时实现ESD防护和对特定频段信号的陷波抑制。基于这样的ESD保护陷波电路，本发明专利技术所公开的放大器，是带阻带抑制功能的旁路低噪声放大器，在小尺寸芯片面积上实现了高静电防护能力、高陷波抑制和低噪声系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及esd静电防护技术，具体涉及一种esd保护陷波电路和放大器。

技术介绍

1、esd（electro-static discharge，静电放电）是电子器件和电路面临的常见问题，是电子产品质量最大的潜在杀手，静电防护已成为电子产品质量控制的一项重要内容。esd对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，指的是器件被严重损坏，功能丧失。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。这两种损伤中，潜在性失效占据了90%，突发性失效只占10%。也就是说90%的静电损伤是没办法检测到，只有到了用户手里使用时才会发现。在射频集成电路中，特别是高数据传输和低功耗电路中，esd对电路的性能、稳定性和寿命产生了严重的影响。

2、低噪声放大器位于射频接收机的最前端，与天线相连，必须具备一定的esd防护能力。图13为在一种放大器结构上连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ESD保护陷波电路，其特征在于：包括双向PIN对管、第一电容和第一电感；所述双向PIN对管的两端分别连接第一电容的两端；所述第一电感的第一端连接所述双向PIN对管和所述第一电容的第一公共端，所述第一电感的第二端接地；所述双向PIN对管和所述第一电容的第二公共端为所述ESD保护陷波电路的输入端；所述双向PIN对管包括N+型衬底和分别靠近于N+型衬底的两边生长的两个I-型中间层；两个所述I-型中间层之间绝缘；在所述I-型中间层上生长有P+型顶层；在所述P+型顶层上设置有P-型接触层。

2.根据权利要求1所述的ESD保护陷波电路，其特征在于：所述双向PIN对管有最低阈值电压...

【技术特征摘要】

1.一种esd保护陷波电路，其特征在于：包括双向pin对管、第一电容和第一电感；所述双向pin对管的两端分别连接第一电容的两端；所述第一电感的第一端连接所述双向pin对管和所述第一电容的第一公共端，所述第一电感的第二端接地；所述双向pin对管和所述第一电容的第二公共端为所述esd保护陷波电路的输入端；所述双向pin对管包括n+型衬底和分别靠近于n+型衬底的两边生长的两个i-型中间层；两个所述i-型中间层之间绝缘；在所述i-型中间层上生长有p+型顶层；在所述p+型顶层上设置有p-型接触层。

2.根据权利要求1所述的esd保护陷波电路，其特征在于：所述双向pin对管有最低阈值电压和最高阈值电压；当所述esd保护陷波电路的输入端所输入的电压在最低阈值电压和最高阈值电压之间，所述双向pin对管截止，所述第一电感和所述第一电容串联为陷波电路；当esd保护陷波电路的输入端所输入的电压小于最低阈值电压或者大于最高阈值电压，所述双向pin对管导通，所述双向pin对管和所述第一电感串联为静电释放电路。

3.一种放大器，安装有如权利要求1所述的esd保护陷波电路，其特征在于，所述esd保护陷波电路连接于所述放大器的信号输入端和接地端之间。

4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，在所述放大器的信号输出端和接地端之间还连接有输出端esd防护电感。

5.根据权利要求3所述的放...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭艳军，张海涛，张泽洲，
申请(专利权)人：芯百特微电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：