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本发明涉及一种ESD保护陷波电路和放大器，双向PIN对管包括N+型衬底和分别靠近于N+型衬底的两边生长的两个I‑型中间层；两个所述I‑型中间层之间绝缘；在所述I‑型中间层上生长有P+型顶层；在所述P+型顶层上设置有P‑型接触层。基于此双向P...
该专利属于芯百特微电子（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯百特微电子（无锡）有限公司授权不得商用。

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