【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶圆磨削方法及晶圆。
技术介绍
1、半导体
中，晶圆减薄属于半导体加工的后道工序，减薄后的芯片的体积更小，可以适应更薄的封装设计。减薄后的晶圆具有更短的热扩散路径和较高的表面积与体积比，有助于将芯片运行时产生的热量更快，更有效地传递出去。
2、当晶圆进行减薄后，晶圆中部的区域厚度变小，晶圆边缘未减薄，形成了环形凸起，以保证晶圆整体的结构强度和刚度。
3、机械磨削属于晶圆减薄的常用手段，其通过物理摩擦力去除晶圆表面的材料。磨削通常使用高速旋转的磨具接触晶圆表面，并用纯水作为冷却液和润滑剂，以达到减薄的目的。
4、现有的磨削方式一般是通过磨具沿晶圆的轴向方向进给，即垂直于晶圆的方向进给，该进给方式使得减薄区域与环形凸起之间为直角。即环形凸起与减薄区域连接处的厚度突变，这导致环形凸起的支撑力较差，磕碰受力容易导致环形凸起与减薄区域交界处隐裂，而且该直角式磨削方式，对环形凸起的宽度具有一定要求；而且也容易使得后续制程工艺因为直角交界，环形凸起无法贴晶圆的底部产生空隙
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆磨削方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，所述第二方向的进给被配置为：沿所述径向向靠近晶圆的中心的方向进给。
3.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，磨具的进给路径至少一部分为曲线，以使得环形凸起的内周壁与中心减薄区域的表面弧形过渡连接。
4.如权利要求3所述的晶圆磨削方法，其特征在于，所述磨具的进给路径整体为曲线。
5.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，沿所述第一方向的进给速度为匀速，沿所述第二方向的进给速度不匀速。
6.如权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆磨削方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，所述第二方向的进给被配置为：沿所述径向向靠近晶圆的中心的方向进给。
3.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，磨具的进给路径至少一部分为曲线，以使得环形凸起的内周壁与中心减薄区域的表面弧形过渡连接。
4.如权利要求3所述的晶圆磨削方法，其特征在于，所述磨具的进给路径整体为曲线。
5.如权利要求1所述的晶圆磨削方法，其特征在于，沿所述第一方向的进给速度为匀速，沿所述第二方向的进给速度不匀速。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李官志，杨轩毅，刘普然，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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