一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构。结构包括相互垂直穿插布置的第一和第二选择组件，第一和第二选择组件均包括带有切槽的介质基板和介质基板两个表面上的回形导电几何结构和C形导电几何结构，导电几何结构通过导电金属过孔互相连接。本发明专利技术能够对5GHz以下、任意极化方向、0～60度宽入射角范围内的空间电磁波实现高通滤波功能，并且通带与阻带之间的过渡带非常窄，具有陡截止效果；本发明专利技术还解决了现有技术中通带带宽窄、通带与阻带间过渡带宽以及入射角范围窄的局限性，并且易于加工制作，可被广泛应用于通信基站、雷达、卫星通信以及飞行器等平台的天线罩中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了一种角频率选择结构，涉及空间滤波技术及天线，具体涉及一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构。

技术介绍

1、频率选择结构作为一种空间滤波器，能够根据电磁波的工作频率、极化方式、入射角和能量等对空间电磁波进行选择和调控。区别于传统意义上的滤波器，频率选择结构是无源阵列，其激励源不是电压或电流信号源，而是空间中的电磁波。频率选择结构通常是由金属贴片(或金属屏上的开槽孔径)和介质材料按照一定规律设计构成的人工电磁结构周期阵列，它在谐振频率附近对空间电磁波呈现出全反射或全透射的特性。得益于这种独特的电磁波选择和调控能力，频率选择结构在电磁兼容性、抑制电磁干扰、提升天线系统性能以及实现雷达散射截面积缩减等领域有着广泛的应用。

2、通常，在现代通信系统中会集成多频段的天线来增加通信系统的容量，这给频率选择结构的性能带来了很大的挑战，不仅需要超宽通带的频率选择结构来覆盖所有天线的工作频段还要有快速的截止速率和阻带抑制度来抑制带外的干扰。现有的研究成果难以同时实现超宽通带、低频阻带的陡截止和宽入射角性能。因此，如何实现超宽通带、陡截止和宽入射角本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：所述的第一选择组件(10)为带有若干间隔布置的第一切槽的第一介质基板(11)，第一切槽为贯通第一介质基板(11)的板面的条形通槽且平行于第一介质基板(11)的宽度方向，位于第一介质基板(11)上的每个第一导电几何结构印制区域中均开设有一个第一切槽，每个第一切槽位于相邻的两个第一导电几何结构之间，第一导电几何结构印制区域的长度方向平行于第一介质基板(11)的宽度方向，每个第一切槽自第一导电几何结构印制区域的其中一个短边顶角开设至第一导电几何结构印制区...

【技术特征摘要】

1.一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：所述的第一选择组件(10)为带有若干间隔布置的第一切槽的第一介质基板(11)，第一切槽为贯通第一介质基板(11)的板面的条形通槽且平行于第一介质基板(11)的宽度方向，位于第一介质基板(11)上的每个第一导电几何结构印制区域中均开设有一个第一切槽，每个第一切槽位于相邻的两个第一导电几何结构之间，第一导电几何结构印制区域的长度方向平行于第一介质基板(11)的宽度方向，每个第一切槽自第一导电几何结构印制区域的其中一个短边顶角开设至第一导电几何结构印制区域的长边中心处，第一介质基板(11)的一侧面上的每个第一导电几何结构沿自身所在的第一导电几何结构印制区域的长度方向的中心轴线翻转半周后与正对的另一侧面上的第一导电几何结构重合；

3.根据权利要求2所述的高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：所述的第一导电几何结构包括回形螺旋导电几何结构(1a2、1b2)和c形导电几何结构(1a3、1b3)，在第一介质基板(11)的两侧面上的第一导电几何结构印制区域两两正对，第一介质基板(11)的其中一侧面上的第一导电几何结构印制区域上印制有第一回形螺旋导电几何结构(1a2)和第一c形导电几何结构(1a3)，第一介质基板(11)的另一侧面上的第一导电几何结构印制区域上印制有第二回形螺旋导电几何结构(1b2)和第二c形导电几何结构(1b3)；

4.根据权利要求2所述的高通、陡截止的宽入射角频率选择结构，其特征在于：所述的第二导电几何结构包括回形螺旋导电几何结构(2a2、2b2)和c形导电几何结构(2a3、2b3)，在第二介质基板(21)的两侧面上的第二导电几何结构印制区域两两正对，第二介质基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴云龙，李尔平，李达，
申请(专利权)人：浙江大学金华研究院，
类型：发明
国别省市：